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85U03GH 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 85U03GH은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 85U03GH 자료 제공

부품번호 85U03GH 기능
기능 AP85U03GH
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


85U03GH 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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85U03GH 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP85U03GH
RoHS-compliant Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Low On-resistance
Simple Drive Requirement
Fast Switching Characteristic
D
G
S
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with
the best combination of fast switching, ruggedized device design,
low on-resistance and cost-effectiveness.
The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial
surface mount applications and suited for low voltage applications
such as DC/DC converters.
BVDSS
RDS(ON)
ID
30V
5.5mΩ
75A
G
D
S
TO-252(H)
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TC=25
ID@TC=100
IDM
PD@TC=25
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current3
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
EAS
TSTG
TJ
Single Pulse Avalanche Energy4
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Rating
30
+20
75
56
220
60
0.48
57.6
-55 to 175
-55 to 175
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-case
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)5
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient
Value
2.5
62.5
110
Units
V
V
A
A
A
W
W/
mJ
Units
/W
/W
/W
Data & specifications subject to change without notice
1
200807174
Free Datasheet http://www.Datasheet4U.com




85U03GH pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP85U03GH
16
I D =30A
12
8
V DS =16V
V DS =20V
V DS =24V
4
0
0 15 30 45
Q G , Total Gate Charge (nC)
60
Fig 7. Gate Charge Characteristics
1000
100
100us
10
1ms
10ms
100ms
1 DC
T C =25 o C
Single Pulse
0
0.1 1 10
V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)
100
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
f=1.0MHz
10000
C iss
1000
C oss
C rss
100
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
Duty factor = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
PDM
t
T
Duty Factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.001
0.01
t , Pulse Width (s)
0.1
1
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
VG
4.5V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4
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