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A1020 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 A1020은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 A1020 자료 제공

부품번호 A1020 기능
기능 PNP Transistor - 2SA1020
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


A1020 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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A1020 데이터시트, 핀배열, 회로
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
2SA1020
Power Amplifier Applications
Power Switching Applications
Low Collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A)
High-speed switching: tstg = 1.0 µs (typ.)
Complementary to 2SC2655
2SA1020
Unit: mm
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Rating
50
50
5
2
900
150
55 to 150
Unit
V
V
V
A
mW
°C
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter breakdown voltage
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
Test Condition
ICBO
IEBO
V (BR) CEO
hFE (1)
hFE (2)
VCE (sat)
VBE (sat)
fT
Cob
VCB = −50 V, IE = 0
VEB = −5 V, IC = 0
IC = −10 mA, IB = 0
VCE = −2 V, IC = −0.5 A
VCE = −2 V, IC = −1.5 A
IC = −1 A, IB = −0.05 A
IC = −1 A, IB = −0.05 A
VCE = −2 V, IC = −0.5 A
VCB = −10 V, IE = 0, f = 1 MHz
JEDEC
TO-92MOD
JEITA
TOSHIBA
2-5J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
Min Typ. Max Unit
⎯ ⎯ −1.0 µA
⎯ ⎯ −1.0 µA
50
V
70 240
40 ⎯ ⎯
⎯ −0.5
V
⎯ −1.2
V
100 MHz
40 pF
Turn-on time
Switching time Storage time
ton
Output
0.1
20 µs
Input IB2
tstg IB2 IB1
1.0
µs
VCC = −30 V
Fall time
tf IB1 = IB2 = 0.05 A
DUTY CYCLE 1%
0.1
Note: hFE (1) classification O: 70 to 140, Y: 120 to 240
1 2004-07-07
Free Datasheet http://www.Datasheet4U.com




A1020 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IC – VBE
2.0
Common emitter
VCE = −2 V
1.5
1.0
Tc = 100°C
25 55
0.5
0
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Base-emitter voltage VBE (V)
Safe Operating Area
5
IC max (pulsed)*
3
IC max (continuous)
10 ms*
100 ms*
1 ms*
1
1 s*
0.5
0.3 DC operation
Ta = 25°C
0.1
0.05
*: Single nonrepetitive pulse
0.03 Tc = 25°C
Curves must be derated linearly
with increase in temperature.
0.01
0.1
0.3 0.5 1
3 5
VCEO max
10 30 50 100
Collector-emitter voltage VCE (V)
2SA1020
1000
800
PC – Ta
600
400
200
0
0 40 80 120 160 200 240
Ambient temperature Ta (°C)
4 2004-07-07
Free Datasheet http://www.Datasheet4U.com

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