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부품번호 | FF200R12KS4 기능 |
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기능 | IGBT Module | ||
제조업체 | Eupec | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FF200R12KS4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Tvj= 25° C
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
TC = 70 °C
TC = 25 °C
tP = 1 ms, TC = 80°C
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC=25°C, Transistor
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tP = 1 ms
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I2t
VISOL
1200
200
275
400
1,4
+/- 20V
200
400
18
2,5
V
A
A
A
kW
V
A
A
k A2s
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC = 200A, VGE = 15V, Tvj = 25°C
IC = 200A, VGE = 15V, Tvj = 125°C
IC = 8mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
gate charge
VGE = -15V...+15V
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
VCE = 1200V, V GE = 0V, Tvj = 25°C
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C
prepared by: MOD-D2; Martin Knecht
approved by: SM TM; Wilhelm Rusche
date of publication: 2003-01-11
revision: 3.0
VCE sat
min.
-
-
typ.
3,2
3,85
max.
3,7
-
VGE(th)
4,5
5,5
6,5
V
V
V
QG - 2,1 - µC
Cies - 13 - nF
Cres - 0,85 - nF
ICES
-
-
5 mA
IGES
-
- 400 nA
1 (8)
DB_FF200R12KS4_3.0
2003-01-11
Free Datasheet http://www.Datasheet4U.com
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FF200R12KS4
Ausgangskennlinie (typisch)
Output characteristic (typical)
400
I C = f (VCE)
VGE = 15V
350
300
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
250
200
150
100
50
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
VCE [V]
Ausgangskennlinienfeld (typisch)
Output characteristic (typical)
I C = f (VCE)
Tvj = 125°C
400
350
300
250
200
150
100
VGE = 8V
VGE = 9V
VGE = 10V
VGE = 12V
VGE = 15V
VGE = 20V
50
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
VCE [V]
4 (8)
DB_FF200R12KS4_3.0
2003-01-11
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4페이지 Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FF200R12KS4
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
1
Z thJC = f (t)
0,1
0,01
Zth:Diode
Zth:IGBT
0,001
0,001
0,01
i
ri [K/kW] : IGBT
τi [s] : IGBT
ri [K/kW] : Diode
τi [s] : Diode
1
40,08
0,006
49,13
0,006
0,1
t [s]
2
30,51
0,029
73,21
0,035
1
3
19,37
0,043
37,92
0,033
10
4
0,04
1,014
19,74
0,997
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
450
400
VGE =±15V, RG = 4,7 Ω, Tvj= 125°C
350
300
250
200
IC,Modul
150 IC,Chip
100
50
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
VCE [V]
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DB_FF200R12KS4_3.0
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