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D4457N 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 D4457N은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 D4457N 자료 제공

부품번호 D4457N 기능
기능 Rectifier Diode
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


D4457N 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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D4457N 데이터시트, 핀배열, 회로
N Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D4457N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
PerKiodeisncnhedaStpeitznensperrspannung
Tvj = -40°C... Tvj max
repeEtitivleepkeatkrreivsercsehvoeltageEs igenschaften
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 111 °C
TC = 130 °C
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
VRRM
IFRMSM
IFAVM
IFSM
I²t
400 V
600 V
7000 A
4460 A
3520 A
60000 A
52000 A
18000 10³A²s
13500 10³A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 14,0 kA
Tvj = Tvj max , iF = 4,5 kA
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie 1100 A iF 22000 A
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
v F = A + B iF + C ln ( iF + 1 ) + D iF
Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
Thermische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
vF
V(TO)
rT
A=
B=
C=
D=
iR
RthJC
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
max.
max.
1,36 V
0,93 V
0,7 V
0,047 m
6,124E-01
5,603E-06
-2,629E-02
7,702E-03
max.
60 mA
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,0128 °C/W
0,0120 °C/W
0,0208 °C/W
0,0200 °C/W
0,0308 °C/W
0,0300 °C/W
max.
max.
0,003 °C/W
0,006 °C/W
180 °C
-40...+150 °C
-40...+150 °C
prepared by: H.Sandmann
approved by: J.Przybilla
MA2-BE / 17 Jan 1995 , R.Jörke
date of publication: 2007-10-22
revision:
1
A 01/95
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D4457N pdf, 반도체, 판매, 대치품
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D4457N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Transienter WärmAnewaliydteicrasltaenledments of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung /
Cooling
Pos. n
1
2
3
4
5
6
beidseitig
two-sided
Rthn [°C/W] 0,000017 0,000150 0,001050 0,000563 0,00163 0,00454
τn [s]
0,000014 0,000173 0,001100 0,004360 0,01950 0,12400
7
0,00405
0,33200
anodenseitig
anode-sided
Rthn [°C/W] 0,000014 0,000176 0,001150 0,001100 0,00370
τn [s]
0,000012 0,000185 0,001200 0,008360 0,06260
0,00226
0,17200
0,01160
1,59000
kathodenseitig
cathode-sided
Rthn [°C/W]
τn [s]
0,000010 0,000144 0,001226 0,001330
0,000008 0,000144 0,001170 0,012800
0,00198
0,04860
0,00898
0,36800
0,01633
1,18000
Analytische Funktion / Analytical function:
Σnmax
-t
ZthJC = Rthn 1e τn
n=1
0,035
0,030
0,025
0,020
0,015
0,010
0,005
0,000
0,001
0,01
0,1 t [s] 1
c
a
b
10 100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
MA2-BE / 17 Jan 1995 , R.Jörke
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D4457N 전자부품, 판매, 대치품
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
10000
Datenblatt / Data sheet
D4457N
Qr Diagramm
1000
iFM =
3200A
1600A
800A
400A
200A
100A
100
0,1
1
10 -di/dt [A/µs]
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge
Qr =f(-di/dt)
Tvj= Tvjmax , vR 0,5 VRRM , vRM = 0,8 VRRM
RC-Glied / RC-Network: R = 2,7, C = 1,5µF
60
50
40
30
0-50V
20 0,33 VRRM
0,67 VRRM
10
0
1 3 5 7 9 11 13 15 17
Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IF(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max
MA2-BE / 17 Jan 1995 , R.Jörke
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