|
|
|
부품번호 | D4457N 기능 |
|
|
기능 | Rectifier Diode | ||
제조업체 | Infineon | ||
로고 | |||
N Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D4457N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
PerKiodeisncnhedaStpeitznensperrspannung
Tvj = -40°C... Tvj max
repeEtitivleepkeatkrreivsercsehvoeltageEs igenschaften
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 111 °C
TC = 130 °C
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
VRRM
IFRMSM
IFAVM
IFSM
I²t
400 V
600 V
7000 A
4460 A
3520 A
60000 A
52000 A
18000 10³A²s
13500 10³A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 14,0 kA
Tvj = Tvj max , iF = 4,5 kA
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie 1100 A ≤ iF ≤ 22000 A
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
v F = A + B ⋅ iF + C ⋅ ln ( iF + 1 ) + D ⋅ iF
Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
Thermische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
vF
V(TO)
rT
A=
B=
C=
D=
iR
RthJC
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
max.
max.
1,36 V
0,93 V
0,7 V
0,047 mΩ
6,124E-01
5,603E-06
-2,629E-02
7,702E-03
max.
60 mA
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,0128 °C/W
0,0120 °C/W
0,0208 °C/W
0,0200 °C/W
0,0308 °C/W
0,0300 °C/W
max.
max.
0,003 °C/W
0,006 °C/W
180 °C
-40...+150 °C
-40...+150 °C
prepared by: H.Sandmann
approved by: J.Przybilla
MA2-BE / 17 Jan 1995 , R.Jörke
date of publication: 2007-10-22
revision:
1
A 01/95
Seite/page
1/8
http://www.Datasheet4U.com
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D4457N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Transienter WärmAnewaliydteicrasltaenledments of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung /
Cooling
Pos. n
1
2
3
4
5
6
beidseitig
two-sided
Rthn [°C/W] 0,000017 0,000150 0,001050 0,000563 0,00163 0,00454
τn [s]
0,000014 0,000173 0,001100 0,004360 0,01950 0,12400
7
0,00405
0,33200
anodenseitig
anode-sided
Rthn [°C/W] 0,000014 0,000176 0,001150 0,001100 0,00370
τn [s]
0,000012 0,000185 0,001200 0,008360 0,06260
0,00226
0,17200
0,01160
1,59000
kathodenseitig
cathode-sided
Rthn [°C/W]
τn [s]
0,000010 0,000144 0,001226 0,001330
0,000008 0,000144 0,001170 0,012800
0,00198
0,04860
0,00898
0,36800
0,01633
1,18000
Analytische Funktion / Analytical function:
Σnmax
-t
ZthJC = Rthn 1− e τn
n=1
0,035
0,030
0,025
0,020
0,015
0,010
0,005
0,000
0,001
0,01
0,1 t [s] 1
c
a
b
10 100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
MA2-BE / 17 Jan 1995 , R.Jörke
A 01/95
Seite/page
4/8
http://www.Datasheet4U.com
4페이지 N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
10000
Datenblatt / Data sheet
D4457N
Qr Diagramm
1000
iFM =
3200A
1600A
800A
400A
200A
100A
100
0,1
1
10 -di/dt [A/µs]
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge
Qr =f(-di/dt)
Tvj= Tvjmax , vR ≤ 0,5 VRRM , vRM = 0,8 VRRM
RC-Glied / RC-Network: R = 2,7Ω, C = 1,5µF
60
50
40
30
0-50V
20 0,33 VRRM
0,67 VRRM
10
0
1 3 5 7 9 11 13 15 17
Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IF(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max
MA2-BE / 17 Jan 1995 , R.Jörke
A 01/95
Seite/page
7/8
http://www.Datasheet4U.com
7페이지 | |||
구 성 | 총 10 페이지수 | ||
다운로드 | [ D4457N.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
D4457N | Power Rectifier Diodes | eupec |
D4457N | Rectifier Diode | Infineon |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |