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SMK630F 데이터시트 PDF




Kodenshi에서 제조한 전자 부품 SMK630F은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 SMK630F 자료 제공

부품번호 SMK630F 기능
기능 Advanced N-Ch Power MOSFET
제조업체 Kodenshi
로고 Kodenshi 로고


SMK630F 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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SMK630F 데이터시트, 핀배열, 회로
DC-DC CONVERTER APPLICATION
HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS
SMK630F
Advanced N-Ch Power MOSFET
Features
PIN Connection
High Voltage : BVDSS=200V(Min.)
Low Crss : Crss=24pF(Typ.)
Low gate charge : Qg=12nC(Typ.)
Low RDS(on) : RDS(on)=0.4Ω(Max.)
D
Ordering Information
G
Type No.
Marking
Package Code
GDS
S
SMK630F
SMK630
TO-220F-3L
TO-220F-3L
上海元佐电子Marking Diagram
021-54953990AAUUKK
SGΔMYYKMM6D3DD0D
SDB20D45
Column 1 : Manufacturer
Column 2 : Production Information
e.g.) GYMDD
-. G : Factory management code
-. YMDD : Date Code (year, month, date)
Column 3 : Device Code
021-54950919Absolute maximum ratings (TC=25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
www.yozo.hkDrain-source voltage
VDSS
Gate-source voltage
Drain current (DC) *
VGSS
(Tc=25)
ID (Tc=100)
Rating
200
±30
9
5.4
Unit
V
V
A
A
Drain current (Pulsed) *
IDM 36 A
Power dissipation
Avalanche current (Single)
Single pulsed avalanche energy
Avalanche current (Repetitive)
Repetitive avalanche energy
PD
IAS
EAS
IAR
EAR
30 W
9A
232 mJ
9A
9.5 mJ
Junction temperature
Storage temperature range
TJ
150
°C
Tstg -55~150
* Limited by maximum junction temperature
Characteristic
Thermal
resistance
Junction-case
Junction-ambient
Symbol
Rth(J-C)
Rth(J-A)
Typ.
-
-
Max.
4.16
62.5
Unit
°C/W
KSD-T0O043-001
1
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SMK630F pdf, 반도체, 판매, 대치품
Fig. 7 VDSS - TJ
Fig. 8 RDS(on) - TJ
SMK630F
C
上00w22海1w1--w元.55佐y44o99电z55o30子.99h91k09Fig.9 ID - TC
Fig. 10 Safe Operating Area
C
KSD-T0O043-001
4
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SMK630F 전자부품, 판매, 대치품
Outline Dimension
SMK630F
unit: mm
上00w22海1w1--w元.55佐y44o99电z55o30子.99h91k09
KSD-T0O043-001
7
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