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부품번호 | BC301 기능 |
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기능 | (BC300 - BC302) NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS | ||
제조업체 | CDIL | ||
로고 | |||
전체 3 페이지수
Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS
BC300, BC301, BC302
TO-39
Metal Can Package
NPN SILICON LOW -AND- MEDIUM POWER TRANSISTORS.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25ºC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL
BC300 BC301
Collector Emitter Voltage
VCEO
80 60
Collector Base Voltage
VCBO
120 90
Emitter Base Voltage
VEBO
7.0 7.0
Collector Current
IC
Power Dissipation @ Ta=25ºC
PD
Junction Temperature
Tj
Storage Temperature Range
Tstg
BC302
45
60
7.0
500
850
175
-65 to +200
UNITS
V
V
V
mA
mW
ºC
ºC
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ºC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL TEST CONDITION
BC300
MIN MAX
Collector Cut off Current
ICBO VCB=120V, IE=0
20
VCB=90V, IE=0
VCB=60V, IE=0
DC Current Gain
hFE IC=150mA,VCE=10V
BC300/301/302
40 240
BC300/301/302-4
40 80
BC300/301/302-5
IC=150mA,VCE=10V 70 140
BC300/301/302-6
IC=150mA,VCE=10V 120 240
Collector Emitter Sat Voltage VCE(Sat) IC=150mA,IB=15mA ALL 0.5
BC301
MIN MAX
20
BC302
MIN MAX
20
UNITS
nΑ
nΑ
nΑ
V
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Transition Frequency
fT VCE=10V,IC=50mA,
ALL f=20MHz
100 400
MHz
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 1 of 3
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BC300 | (BC300 - BC302) NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS | CDIL |
BC300 | PNP SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIERS & SWITCHES | Micro Electronics |
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