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부품번호 | RCR1540ESJ 기능 |
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기능 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | ||
제조업체 | RCR | ||
로고 | |||
®
RCR15
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
z Features
VDS (V) = -20V,ID = -4A
RDS(ON)<55mΩ @ VGS= -4.5V
RDS(ON)<63mΩ @ VGS= -2.5V
RDS(ON)<83mΩ @ VGS= -1.8V
SOT23-3L Package
ESD Protected:3000V HBM
z Pin Configurations
z General Description
The RCR1540ESJ uses advanced trench technology to provide excellent
RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V.
This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.
z Package Information
40ESJ
z Absolute Maximum Ratings @TA=25℃ unless otherwise noted
Parameter Sy
mbol
Drain-Source Voltage
VDS
Gate-Source Voltage
VGS
YKKJPD-V3.1
Ratings
-20
±8
Unit
V
V
1/5
http://www.Datasheet4U.com
®
RCR15
40ESJ
YKKJPD-V3.1
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구 성 | 총 5 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
RCR1540ESJ | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | RCR |
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