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PDF CS6822 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | CS6822 | |
| Descripción | NPN Transistor | |
| Fabricantes | CanSheng | |
| Logotipo |  |
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深圳市灿升实业发展有限公司
ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. ww w.szcansheng.com
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
CS6822 TRANSISTOR (NPN)
TO-92
FEATURES
· power switching applications
1. Emitter
2. Collector
3. Base
123
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
（符号）
Parameter
（参数名称）
Value
（额定值）
Units
（单位）
VCBO
Collector-Base Voltage （集电极-基极电压）
700 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage （集电极-发射极电压）
480 V
VEBO
Emitter-Base Voltage （发射极-基极电压）
9V
IC Collector Current -Continuous （集电极电流）
0.5 A
PC Collector Power Dissipation （耗散功率）
0.75 W
Tj Junction Temperature （结温）
150 ℃
Tstg
Storage Temperature （储存温度）
-55-150
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃unless otherwise specified)
Parameter
（参数名称）
Collector-base breakdown voltage
集电极-基极击穿电压
Collector-emitter breakdown voltage
集电极-发射极击穿电压
Emitter-base breakdown voltage
发射极-基极击穿电压
Collector cut-off current
集电极-基极截止电流
Collector cut-off current
集电极-发射极截止电流
Emitter cut-off current
发射极-基极截止电流
DC current gain
直流电流增益
DC current gain
直流电流增益
Collector-emitter saturation voltage
集电极-发射极饱和压降
Base-emitter saturation voltage
发射极-基极饱和压降
Symbol
（符号）
V(BR)CB
O
V(BR)CE
O
V(BR)EBO
Test conditions
（测试条件）
IC= 100μA, IE=0
IC= 1mA, IB=0
IE=100μA, IC=0
ICBO
VCB=600 V , IE=0
ICEO
VCE=400V , IB=0
IEBO
VEB=9V , IC=0
hFE VCE=5V, IC= 100mA
hFE VCE=5V, IC= 1mA
VCE(sat) IC=200mA, IB= 20mA
VBE(sat) IC=200mA, IB= 20mA
MIN
TYP
MAX
UNIT
（最小值） （典型值） （最大值） （单位）
700 V
480 V
9V
1 μA
10 μA
1 μA
8 30
8
0.5 V
1.2 V
CLASSIFICATION OF hFE
Range
8-15
15-20
20-25
25-30
1/2
http://www.Datasheet4U.com
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| CS6822 | NPN Transistor | CanSheng |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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