Datasheet.kr   

K3798 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 K3798은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 K3798 자료 제공

부품번호 K3798 기능
기능 MOSFET ( Transistor ) - 2SK3798
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


K3798 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 6 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

K3798 데이터시트, 핀배열, 회로
2SK3798
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSIV)
www.DataSheet4U.com
2SK3798
Switching Regulator Applications
Unit: mm
Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 2.5Ω (ty p.)
High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.8 S (typ.)
Low leakage current: IDSS = 100 μA (VDS = 720 V)
Enhancement-mode: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics Sy
Drain-source voltage
Drain-gate voltage (RGS = 20 k)
Gate-source voltage
Drain current
DC ( Note 1)
Pulse (t = 1 ms)
( Note 1)
Drain power dissipation (Tc = 25°C)
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
Avalanche current
Repetitive avalanche energy (Note 3)
Channel temperature
Storage temperature range
mbol
VDSS
VDGR
VGSS
ID
IDP
PD
EAS
IAR
EAR
Tch
Tstg
Thermal Characteristics
Rating
900
900
±30
4
12
40 W
345
4
4.0
150
-55~150 °
Unit
V
V
V
A
mJ
A
mJ
°C
C
1: Gate
2: Drain
3: Source
JEDEC
JEITA SC-
67
TOSHIBA
2-10U1B
Weight : 1.7 g (typ.)
Characteristics Sy
mbol
Max Unit
Thermal resistance, channel to case
Thermal resistance, channel to ambient
Rth (ch-c)
Rth (ch-a) 62.
3.125
5
°C/W
°C/W
Note 1: Please use devices on conditions that the channel temperature is below 150°C.
Note 2: VDD = 90 V, Tch = 25°C, L = 39.6 mH, IAR = 4.0 A, RG = 25
Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by maximum channel temperature
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.
1
2
3
1 2005-01-26
http://www.Datasheet4U.com




K3798 pdf, 반도체, 판매, 대치품
www.DataSheet4U.com
RDS (ON) – Tc
10
COMMON SOURCE
VGS = 10 V
PULSE TEST
8
6
ID = 4 A
1
4
22
0
80 40 0
40 80 120 160
CASE TEMPERATURE Tc (°C)
2SK3798
IDR – VDS
10
COMMON SOURCE
5 Tc = 25°C
PULSE TEST
3
1
0.5
0.3 10 VGS = 0, 1 V
31
0.1
0 0.4 0.8 1.2 1.6
DRAIN-SOURCE VOLTAGE VDS (V)
10000
1000
CAPACITANCE – VDS
Ciss
100 Coss
10 COMMON SOURCE
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Tc = 25°C
1
0.1 1 3
Crss
5 10
30 50 100
DRAIN-SOURCE VOLTAGE VDS (V)
Vth – Tc
5
4
3
2
COMMON SOURCE
1 VDS = 10 V
ID = 1 mA
PULSE TEST
0
80 40 0
40 80
120
CASE TEMPERATURE Tc (°C)
160
PD – Tc
60
40
20
0
0 40 80 120 160
CASE TEMPERATURE Tc (°C)
DYNAMIC INPUT / OUTPUT
CHARACTERISTICS
500
20
400 VDS
300
VDD = 100 V
16
400
12
200 200 8
100
0
0
VGS
10
COMMON SOURCE
ID = 4 A
4
Tc = 25°C
PULSE TEST
20 30
0
40
TOTAL GATE CHARGE Qg (nC)
4 2005-01-26

4페이지












구       성 총 6 페이지수
다운로드[ K3798.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
K3797

MOSFET ( Transistor ) - 2SK3797

Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
K3798

MOSFET ( Transistor ) - 2SK3798

Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵