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부품번호 | K3798 기능 |
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기능 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK3798 | ||
제조업체 | Toshiba Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 6 페이지수
2SK3798
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSIV)
www.DataSheet4U.com
2SK3798
Switching Regulator Applications
Unit: mm
• Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 2.5Ω (ty p.)
• High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.8 S (typ.)
• Low leakage current: IDSS = 100 μA (VDS = 720 V)
• Enhancement-mode: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics Sy
Drain-source voltage
Drain-gate voltage (RGS = 20 kΩ)
Gate-source voltage
Drain current
DC ( Note 1)
Pulse (t = 1 ms)
( Note 1)
Drain power dissipation (Tc = 25°C)
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
Avalanche current
Repetitive avalanche energy (Note 3)
Channel temperature
Storage temperature range
mbol
VDSS
VDGR
VGSS
ID
IDP
PD
EAS
IAR
EAR
Tch
Tstg
Thermal Characteristics
Rating
900
900
±30
4
12
40 W
345
4
4.0
150
-55~150 °
Unit
V
V
V
A
mJ
A
mJ
°C
C
1: Gate
2: Drain
3: Source
JEDEC
―
JEITA SC-
67
TOSHIBA
2-10U1B
Weight : 1.7 g (typ.)
Characteristics Sy
mbol
Max Unit
Thermal resistance, channel to case
Thermal resistance, channel to ambient
Rth (ch-c)
Rth (ch-a) 62.
3.125
5
°C/W
°C/W
Note 1: Please use devices on conditions that the channel temperature is below 150°C.
Note 2: VDD = 90 V, Tch = 25°C, L = 39.6 mH, IAR = 4.0 A, RG = 25 Ω
Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by maximum channel temperature
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.
1
2
3
1 2005-01-26
http://www.Datasheet4U.com
www.DataSheet4U.com
RDS (ON) – Tc
10
COMMON SOURCE
VGS = 10 V
PULSE TEST
8
6
ID = 4 A
1
4
22
0
−80 −40 0
40 80 120 160
CASE TEMPERATURE Tc (°C)
2SK3798
IDR – VDS
10
COMMON SOURCE
5 Tc = 25°C
PULSE TEST
3
1
0.5
0.3 10 VGS = 0, −1 V
31
0.1
0 −0.4 −0.8 −1.2 −1.6
DRAIN-SOURCE VOLTAGE VDS (V)
10000
1000
CAPACITANCE – VDS
Ciss
100 Coss
10 COMMON SOURCE
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Tc = 25°C
1
0.1 1 3
Crss
5 10
30 50 100
DRAIN-SOURCE VOLTAGE VDS (V)
Vth – Tc
5
4
3
2
COMMON SOURCE
1 VDS = 10 V
ID = 1 mA
PULSE TEST
0
−80 −40 0
40 80
120
CASE TEMPERATURE Tc (°C)
160
PD – Tc
60
40
20
0
0 40 80 120 160
CASE TEMPERATURE Tc (°C)
DYNAMIC INPUT / OUTPUT
CHARACTERISTICS
500
20
400 VDS
300
VDD = 100 V
16
400
12
200 200 8
100
0
0
VGS
10
COMMON SOURCE
ID = 4 A
4
Tc = 25°C
PULSE TEST
20 30
0
40
TOTAL GATE CHARGE Qg (nC)
4 2005-01-26
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