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IRF630 데이터시트 PDF




TAITRON에서 제조한 전자 부품 IRF630은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IRF630 자료 제공

부품번호 IRF630 기능
기능 200V/9A POWER MOSFET
제조업체 TAITRON
로고 TAITRON 로고


IRF630 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IRF630 데이터시트, 핀배열, 회로
200V/9A POWER MOSFET
(N-Channel)
IRF630/IRFS630
200V/9A Power MOSFET (N-Channel)
General Description
IRF630/IRFS630 are N-Channel enhancement mode power MOSFETs with
advanced technology. These power MOSFETs are designed for low voltage,
high speed power switching applications such as switching regulators, converters,
solenoid and relay drivers.
TO-220
IRF630/IRFS630 are available in TO-220/TO-220F packages.
TO-220F
Features
Dynamic dv/dt Rating
Repetitive Avalanche Rated
Fast switching capability
Ease of Paralleling
Simple Drive Requirements
RoHS Compliance and Halogen free
Application
DC to DC Converter
Adapter
SMPS Application.
TAITRON COMPONENTS INCORPORATED www.taitroncomponents.com
Tel: (800)-TAITRON (800)-824-8766 (661)-257-6060
Fax: (800)-TAITF AX (800)-824-8329 (661)-257-6415
Rev. A/LX
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IRF630 pdf, 반도체, 판매, 대치품
200V/9A POWER MOSFET (N-Channel)
IRF630/IRFS630
Symbol
Description
SWITCHING CHARACTERISTICS
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Turn-on Delay Time
Turn-on Rise Time
Turn-off Delay Time
Turn-off Fall Time
Total Gate Charge
Qgs
Gate-Source Charge
Qgd
Gate-Drain Charge
Min. Typ. Max.
Unit
- 9.4 -
- 28 -
- 39 -
nS
- 20 -
- - 43
- - 7 nC
- - 23
Ld Internal Drain inductance
Ls Internal Drain inductance
- 4.5 -
- 7.5 -
nH
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS
VSD Drain-Source Diode Forward Voltage - -
trr Reverse Recovery Time
Qrr Reverse Recovery Charge
ton Forward turn-on time (Note5)
- 170
- 1.1
-*
2
340
2.2
-
V
nS
uC
-
Note
1: Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature
2: L=4.6mH, IAS=9A, VDD=50V, RG=25, Starting TJ=25°C
3: Isd9A, di/dt120A/us, VDDVBR(DSS), Starting TJ=25°C
4: Pulse test: Pulse width 300us, Duty cycle2%
5: *Negligible, Dominated by circuit inductance
Conditions
VDD =100V, ID=5.9A,
RG=12, RD=16
(Note 4)
VDS =160V, ID=5.9A,
VGS =10V
(Note 4)
measured from the drain
lead 0.25” from package
to center of die
measured from the drain
lead 0.25” from package
to source bond pad
VGS =0V, Is=9A
(Note 4)
VGS =0V, IF=5.9A
di/dt=100A/us (Note4)
www.taitroncomponents.com
Rev. A/LX
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IRF630 전자부품, 판매, 대치품
200V/9A POWER MOSFET (N-Channel)
IRF630/IRFS630
Fig.8- Max. Safe Operation Area
(TO-220)
Fig.9- Max. Safe Operation Area
(TO-220F)
Drain-Source Voltage VDS (V)
Fig.10- Transient Thermal Response
(TO-220)
Drain-Source Voltage VDS (V)
Fig.11- Transient Thermal Response
(TO-220F)
Time (mS)
www.taitroncomponents.com
Time (mS)
Rev. A/LX
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