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부품번호 | GFP50N06 기능 |
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기능 | MOSFET ( Transistor ) | ||
제조업체 | Chinahaiso electronic | ||
로고 | |||
Chinahaiso electronic Co.Ltd
http://www.chinahaiso.com
MOSFET
GFP 50N06
GFP 50N06
FEATURES (参数)
Low RDs(on) (0.023 Ω)@Vgs=10V
Low Gate Charge (Typical 39 nC)
Low Crss (typical 110 pF)
Maximum Junction Temperature range (175 ℃)
Absolute maximum ratings T=25℃ unless otherwise noted
Characteristics
Symbol
Drain-SourceVoltage
Drain Current
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Power Dissipation
Operating and Storage Temperature Range
Thermal Resistance ,Junction-to Case
Drain-source Diode Forward Voltage
BVDSS
ID
VGS
EAS
PD
TSTG
RθJC
VSD
Value
60
50
±20
470
130
-55 –175
1.15
1.4
Units
V
A
V
mJ
W
℃
℃/W
V
1 of 2
http://www.Datasheet4U.com
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ GFP50N06.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
GFP50N03 | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET | General Semiconductor |
GFP50N06 | MOSFET ( Transistor ) | Chinahaiso electronic |
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