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HBNP1268Q8 데이터시트 PDF




CYStech Electronics에서 제조한 전자 부품 HBNP1268Q8은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 HBNP1268Q8 자료 제공

부품번호 HBNP1268Q8 기능
기능 General Purpose NPN PNP Epitaxial Planar Transistors(quadruple transistors)
제조업체 CYStech Electronics
로고 CYStech Electronics 로고


HBNP1268Q8 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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HBNP1268Q8 데이터시트, 핀배열, 회로
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C198Q8
Issued Date : 2010.11.29
Revised Date :
Page No. : 1/8
General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors
(quadruple transistors)
HBNP1268Q8 BVCEO
NPN
50V
PNP
-30V
IC 4A -5A
RCE(SAT)(TYP) 125mΩ 180mΩ
Features
Includes two NPN chips and two PNP chips in a SOP-8 package.
Pb-free lead plating package
Equivalent Circuit
HBNP1268Q8
Outline
SOP-8
BBase
EEmitter
CCollector
HBNP1268Q8
CYStek Product Specification
http://www.Datasheet4U.com




HBNP1268Q8 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C198Q8
Issued Date : 2010.11.29
Revised Date :
Page No. : 4/8
Typical Characteristics
NPN 1 & NPN 2
Emitter Grounded Output Characteristics
0.25
IB=500uA
0.2
IB=400uA
0.15 IB=300uA
0.1 IB=200uA
0.05
0
01
IB=100uA
IB=0
234 56
Collector-to-Emitter Voltage---VCE(V)
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
Emitter Grounded Output Characteristics
IB=2.5mA
IB=2mA
IB=1.5mA
IB=1mA
IB=500uA
IB=0
1 234
56
Collector-to-Emitter Voltage---VCE(V)
Emitter Grounded Output Characteristics
3
IB=10mA
2.5 IB=8mA
2 IB=6mA
IB=4mA
1.5
IB=2mA
1
0.5
0
01
IB=0
23 45
Collector-to-Emitter Voltage---VCE(V)
6
Current Gain vs Collector Current
1000
VCE=5V
100 VCE=2V
VCE=1V
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
01
Emitter Grounded Output Characteristics
IB=25mA
IB=20mA
IB=15mA
IB=10mA
IB=5mA
IB=0
2 34
56
Collector-to-Emitter Voltage---VCE(V)
10000
Saturation Voltage vs Collector Current
1000
100
VCE(SAT)
IC=100IB
IC=50IB
10
1
10 100 1000
Collector Current---IC (mA)
10000
10
1
IC=20IB
10 100 1000
Collector Current---IC (mA)
10000
HBNP1268Q8
CYStek Product Specification

4페이지










HBNP1268Q8 전자부품, 판매, 대치품
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C198Q8
Issued Date : 2010.11.29
Revised Date :
Page No. : 7/8
Recommended wave soldering condition
Product
Peak Temperature
Pb-free devices
260 +0/-5 °C
Soldering Time
5 +1/-1 seconds
Recommended temperature profile for IR reflow
Profile feature
Sn-Pb eutectic Assembly
Pb-free Assembly
Average ramp-up rate
(Tsmax to Tp)
3°C/second max.
3°C/second max.
Preheat
Temperature Min(TS min)
Temperature Max(TS max)
Time(ts min to ts max)
100°C
150°C
60-120 seconds
150°C
200°C
60-180 seconds
Time maintained above:
Temperature (TL)
Time (tL)
183°C
60-150 seconds
217°C
60-150 seconds
Peak Temperature(TP)
240 +0/-5 °C
260 +0/-5 °C
Time within 5°C of actual peak
temperature(tp)
10-30 seconds
20-40 seconds
Ramp down rate
6°C/second max.
6°C/second max.
Time 25 °C to peak temperature
6 minutes max.
8 minutes max.
Note : All temperatures refer to topside of the package, measured on the package body surface.
HBNP1268Q8
CYStek Product Specification

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