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부품번호 | IXTP3N60P 기능 |
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기능 | N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | ||
제조업체 | IXYS Corporation | ||
로고 | |||
전체 4 페이지수
PolarHVTM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXTA 3N60P
IXTP 3N60P
IXTY 3N60P
VDSS = 600
ID25 = 3.0
RDS(on) ≤ 2.9
V
A
Ω
Symbol
VDSS
VDGR
VGS
VGSM
ID25
IDM
IAR
EAR
EAS
dv/dt
PD
TJ
TJM
Tstg
TL
TSOLD
Weight
Test Conditions
TJ = 25° C to 150° C
TJ = 25° C to 150° C; RGS = 1 MΩ
Continuous
Transient
TC = 25° C
TC = 25° C, pulse width limited by TJM
TC = 25° C
TC = 25° C
TC = 25° C
IS ≤IDM, di/dt ≤100 A/ µs, V DD ≤VDSS
TJ ≤150° C, RG = 30 Ω
TC = 25° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
TO-220
TO-263
TO-252
Maximum Ratings
600 V
600 V
TO-263 (IXTA)
± 30
± 40
3.0
6
3
10
100
VG
VS
A
A TO-220 (IXTP)
A
mJ
mJ
(TAB)
5
70
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
4
3
0.35
V/ns
W
°C
°C
°C
°C
°C
g
g
g
GDS
TO-252 (IXTY)
G
S
G = Gate
S = Source
(TAB)
(TAB)
D = Drain
TAB = Drain
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25° C unless otherwise specified)
BVDSS
VGS = 0 V, ID = 250 µA
VGS(th)
VDS = VGS, ID = 50 µA
IGSS VGS = ± 30 VDC, VDS = 0
IDSS
VDS = VDSS
VGS = 0 V
TJ = 125° C
RDS(on)
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25, Note 1
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
600 V
3.0 5.5 V
± 100 nA
5 µA
50 µA
2.9 Ω
Features
l International standard packages
l Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
l Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
l Easy to mount
l Space savings
l High power density
© 2006 IXYS All rights reserved
DS99449E(04/06)
http://www.Datasheet4U.com
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
4
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.4
Fig. 7. Input Adm ittance
TJ =125º C
25º C
-40º C
4.5 55 .5 66 .5
VG S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
7
TJ = 125º C
TJ = 25º C
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
VS D - Volts
1000
Fig. 11. Capacitance
IXTA 3N60P IXTP 3N60P
IXTY 3N60P
Fig. 8. Transconductance
6
5.5
5
4.5
4
TJ = -40º C
25º C
125º C
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
0.511
.5 22 .5 33 .54
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Charge
10
9 VDS = 300V
8 ID = 1. 5A
7 IG = 10mA
6
5
4
3
2
1
0
01
23 456
78
Q G - nanoCoulombs
9 10
Fig. 13. Maxim um Transient Therm al
Re s is tance
10.0
Ciss
100
Coss
10
f = 1MHz
Crss
1
0 5 10 15 20 25 30 35 40
VD S - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
1.0
0.1
0.1
1 10 100
Pulse Width - milliseconds
1000
4페이지 | |||
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IXTP3N60P | Power MOSFET ( Transistor ) | IXYS |
IXTP3N60P | N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | IXYS Corporation |
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