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IXTH152N085T 데이터시트 PDF




IXYS Corporation에서 제조한 전자 부품 IXTH152N085T은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IXTH152N085T 자료 제공

부품번호 IXTH152N085T 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
제조업체 IXYS Corporation
로고 IXYS Corporation 로고


IXTH152N085T 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IXTH152N085T 데이터시트, 핀배열, 회로
Preliminary Technical Information
TrenchMVTM
Power MOSFET
IXTH152N085T
IXTQ152N085T
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
VDSS =8 5
ID25 = 152
RDS(on) 7.0
V
A
mΩ
Symbol
VDSS
VDGR
VGSM
ID25
IIDLRMMS
IAR
EAS
dv/dt
PD
TJ
TJM
Tstg
TL
TSOLD
Md
Weight
Test Conditions
TJ = 25°C to 175°C
TJ = 25°C to 175°C; RGS = 1 MΩ
Transient
TC = 25°C
Lead Current Limit, RMS
TC = 25°C, pulse width limited by T JM
TC = 25°C
TC = 25°C
IS IDM, di/dt 100 A/μs, VDD VDSS
TJ 175°C, RG = 5 Ω
TC = 25°C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 seconds
Mounting torque
TO-3P
TO-247
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25°C unless otherwise specified)
BVDSS
VGS = 0 V, ID = 250 μA
VGS(th)
VDS = VGS, ID = 250 μA
IGSS VGS = ± 20 V, VDS = 0 V
IDSS
VDS = VDSS
VGS = 0 V
TJ = 150°C
RDS(on)
VGS = 10 V, ID = 25 A, Notes 1, 2
© 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
Maximum Ratings
85
85
± 20
152
75
410
25
750
V
V
V
A
A
A
A
mJ
3 V/ns
360 W
-55 ... +175
175
-55 ... +175
°C
°C
°C
300 °C
260 °C
1.13 / 10 Nm/lb.in.
5.5 g
6g
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
85 V
2.0 4.0 V
± 200 nA
5 μA
250 μA
5.5 7.0 mΩ
TO-247 (IXTH)
G
DS
TO-3P (IXTQ)
(TAB)
G
D
S
(TAB)
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
Features
Ultra-low On Resistance
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
175 °C Operating Temperature
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
Applications
Automotive
- Motor Drives
- 42V Power Bus
- ABS Systems
DC/DC Converters and Off-line UPS
Primary Switch for 24V and 48V
Systems
High Current Switching
Applications
DS99699 (11/06)
http://www.Datasheet4U.com




IXTH152N085T pdf, 반도체, 판매, 대치품
IXTH152N085T
IXTQ152N085T
270
240
210
180
150
120
90
60
30
0
3.5
280
Fig. 7. Input Admittance
TJ = -40ºC
25ºC
150ºC
4 4.5 5 5.5 6 6.5
VGS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
7
240
200
160
TJ = 150ºC
120
TJ = 25ºC
80
40
0
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3
VSD - Volts
10,000
f = 1 MHz
Fig. 11. Capacitance
Ciss
140
120
100
80
60
40
20
0
0
Fig. 8. Transconductance
TJ = - 40ºC
25ºC
150ºC
40 80 120 160 200 240
ID - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
10
9 VDS = 43V
I D = 25A
8
I G = 10mA
7
6
5
4
3
2
1
0
0 10 203 04 0 506 07 0 809 0 100 110 120
QG - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
1.00
1,000
Coss
0.10
Crss
100
0
5 10 15 20 25 30 35 40
VDS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
Pulse Width - Seconds
1
10

4페이지












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