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IXYB82N120C3H1 데이터시트 PDF




IXYS Corporation에서 제조한 전자 부품 IXYB82N120C3H1은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IXYB82N120C3H1 자료 제공

부품번호 IXYB82N120C3H1 기능
기능 High-Speed IGBT
제조업체 IXYS Corporation
로고 IXYS Corporation 로고


IXYB82N120C3H1 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IXYB82N120C3H1 데이터시트, 핀배열, 회로
1200V XPT TM IGBT
GenX3TM w/ Diode
IXYB82N120C3H1
High-Speed IGBT
for 20-50 kHz Switching
Symbol
VCES
VCGR
VGES
VGEM
IC25
ILRMS
IC110
IF110
ICM
IA
EAS
SSOA
(RBSOA)
PC
TJ
TJM
Tstg
TL
TSOLD
FC
Weight
Test Conditions
Maximum Ratings
TJ = 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ
Continuous
Transient
1200
1200
±20
±30
V
V
V
V
TC = 25°C (Chip Capability)
Lead Current Limit
TTCC
= 110°C
= 110°C
TC = 25°C, 1ms
TC = 25°C
TC = 25°C
VGE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 2Ω
Clamped Inductive Load
TC = 25°C
164
160
82
42
320
41
800
ICM = 164
@VCE VCES
1040
-55 ... +150
150
-55 ... +150
A
A
A
A
A
A
mJ
A
W
°C
°C
°C
Maximum Lead Temperature for Soldering
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s
300 °C
260 °C
Mounting Force
30..120 / 6.7..27
N/lb.
10 g
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)
BVCES
IC = 250μA, VGE = 0V
VGE(th)
IC = 250μA, VCE = VGE
ICES VCE = VCES, VGE = 0V
TJ = 125°C
IGES VCE = 0V, VGE = ±20V
VCE(sat)
IC = 82A, VGE = 15V, Note 1
TJ = 125°C
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
1200
V
3.0 5.0 V
50 μA
3 mA
±100 nA
2.75
3.50
3.20 V
V
VCES =
IC110 =
V CE(sat)
tfi(typ) =
1200V
82A
3.2V
93ns
PLUS264TM
G
C
E
G = Gate
E = Emitter
Tab
C = Collector
Tab = Collector
Features
z Optimized for Low Switching Losses
z Square RBSOA
z Anti-Parallel Ultra Fast Diode
z Positive Thermal Coefficient of
Vce(sat)
z Avalanche Rated
z High Current Handling Capability
z International Standard Package
Advantages
z High Power Density
z Low Gate Drive Requirement
Applications
z High Frequency Power Inverters
z UPS
z Motor Drives
z SMPS
z PFC Circuits
z Battery Chargers
z Welding Machines
z Lamp Ballasts
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100355E(6/13)
http://www.Datasheet4U.com




IXYB82N120C3H1 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IXYB82N120C3H1
Fig. 7. Transconductance
80
TJ = - 40ºC
70
60
25ºC
50
125ºC
40
30
20
10
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
IC - Amperes
16
14
VCE = 600V
I C = 82A
12 I G = 10mA
Fig. 8. Gate Charge
10
8
6
4
2
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220
QG - NanoCoulombs
10,000
Fig. 9. Capacitance
1,000
100
10
0
f = 1 MHz
5 10
15 20 25
VCE - Volts
Cies
Coes
Cres
30 35
40
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
180
160
140
120
100
80
60
40 TJ = 150ºC
RG = 2
20 dv / dt < 10V / ns
0
200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
VCE - Volts
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
1
0.1
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
Pulse Width - Second
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
0.01
0.1
1

4페이지










IXYB82N120C3H1 전자부품, 판매, 대치품
IXYB82N120C3H1
120
100
80
60
40
20
0
0
Fig. 21. Typ. Forward Characteristics
TVJ = 25ºC
TVJ = 125ºC
0.5 1 1.5 2 2.5 3
VF - Volts
Fig. 22. Typ. Reverse Recovery Charge Qrr vs. -diF/dt
12
11
TVJ = 125ºC
VR = 600V
10
120A
9
8 60A
7
6
5 30A
4
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
-diF/dt - [A/µs]
Fig. 23. Typ. PeakReverse Current IRM vs. -diF/dt
90
TVJ = 125ºC
80 VR = 600V
120A
70
60 60A
50 30A
40
30
20
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
-diF/dt - [A/µs]
Fig. 24. Typ. Recovery Time trr vs. -diF/dt
700
TVJ = 125ºC
600 VR = 600V
500
400
120A
60A
300
30A
200
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
-diF/dt - [A/µs]
Fig. 25. Typ. Recovery Energy Erec vs. -diF/dt
4.0
3.6
TVJ = 125ºC
VR = 600V
120A
3.2
2.8
60A
2.4
2.0
1.6 30A
1.2
0.8
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
-diF/dt - [A/µs]
Fig. 26. Maximum Transient Thermal Impedance
1
0.1
0.01
0.001
0.01 0.1
Pulse Width - Seconds
1
10
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