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부품번호 | RCX200N20 기능 |
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기능 | N-chnannel 200V 20A Power MOSFET | ||
제조업체 | ROHM Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 13 페이지수
RCX200N20
Nch 200V 20A Power MOSFET
Datasheet
VDSS
RDS(on) (Max.)
ID
PD
200V
130mW
20A
40W
lFeatures
1) Low on-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Drive circuits can be simple.
4) Parallel use is easy.
5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
6) 100% Avalanche tested
lApplication
Switching Power Supply
Automotive Motor Drive
Automotive Solenoid Drive
lAbsolute maximum ratings(Ta = 25°C)
Parameter
Drain - Source voltage
Continuous drain current
Tc = 25°C
Tc = 100°C
Pulsed drain current
Gate - Source voltage
Avalanche energy, single pulse
Avalanche current
Power dissipation
Tc = 25°C
Ta = 25°C
Junction temperature
Range of storage temperature
lOutline
TO-220FM
lInner circuit
(1) (2) (3)
(1) Gate
(2) Drain
(3) Source
*1 BODY DIODE
lPackaging specifications
Packaging
Reel size (mm)
Tape width (mm)
Type
Basic ordering unit (pcs)
Taping code
Marking
Bulk
-
-
500
-
RCX200N20
Symbol
VDSS
ID *1
ID *1
ID,pulse *2
VGSS
EAS *3
IAR *3
PD
PD
Tj
Tstg
Value
200
20
10.8
80
30
32.3
10
40
2.23
150
-55 to +150
Unit
V
A
A
A
V
mJ
A
W
W
°C
°C
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© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.08 - Rev.A
RCX200N20
lElectrical characteristic curves
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve
120
100
80
60
40
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175
Junction Temperature : Tj [°C]
Data Sheet
Fig.2 Maximum Safe Operating Area
1000
100
Ta=25ºC
Single Pulse
PW = 100ms
10
PW = 1ms
1
Operation in this
area is limited
by RDS(on)
0.1
PW = 10ms
0.01
0.1 1 10 100 1000
Drain - Source Voltage : VDS [V]
Fig.3 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width
10
Ta=25ºC
Single Pulse
Rth(j-c)(t) = r(t)×Rth(ch-c)
Rth(j-c) = 56ºC/W
1
0.1
0.01
0.0001
0.01
top D = 1
D = 0.5
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.01
D = Single
1 100
Pulse Width : PW [s]
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2012.08 - Rev.A
4페이지 RCX200N20
lElectrical characteristic curves
Data Sheet
Fig.12 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Gate Source Voltage
300
Ta=25ºC
250
200 ID = 10A
ID = 20A
150
100
50
0
0 5 10 15 20
Gate - Source Voltage : VGS [V]
Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)
1000
Ta=25ºC
VGS= 10V
100
10
0.01
0.1 1 10
Drain Current : ID [A]
100
Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
300
VGS = 10V
250 ID = 10A
200
150
100
50
0
-50 0 50 100 150
Junction Temperature : Tj [ºC]
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2012.08 - Rev.A
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