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H30R90 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 H30R90은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 H30R90 자료 제공

부품번호 H30R90 기능
기능 IHW30N90R
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


H30R90 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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H30R90 데이터시트, 핀배열, 회로
Soft Switching Series
IHW30N90R
q
Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
Features:
1.5V typical saturation voltage of IGBT
Trench and Fieldstop technology for 900 V applications offers :
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
- easy parallel switching capability due to positive
temperature coefficient in VCE(sat)
Low EMI
Qualified according to JEDEC1 for target applications
Application specific optimisation of inverse diode
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Applications:
Microwave Oven
Soft Switching Applications for ZCS
C
G
E
PG-TO-247-3
Type
VCE I
IHW30N90R 900V
C
30A
VCE(sat),Tj=25°C
1.5V
Tj,max
175°C
Maximum Ratings
Parameter Sy
Collector-emitter voltage
DC collector current
TC = 25°C
TC = 100°C
Pulsed collector current, tp limited by Tjmax
Turn off safe operating area VCE 900V, Tj 175°C
Diode forward current
TC = 25°C
TC = 100°C
Diode pulsed current, tp limited by Tjmax
Gate-emitter voltage
Transient Gate-emitter voltage (tp < 5 ms)
Power dissipation, TC = 25°C
Operating junction temperature
Storage temperature
Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s
Marking Packag
e
H30R90 PG-TO -247-3
mbol
VCE
IC
ICpuls
-
IF
IFpuls
VGE
P tot 454
T j -40...+
Tstg
-
Value
900
60
30
90
90
60
30
90
±20
±25
175
-55...+175
260
Unit
V
A
V
W
°C
°C
1 J-STD-020 and JESD-022
Power Semiconductors
1
Rev. 2.2 Nov 08
http://www.Datasheet4U.com




H30R90 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Soft Switching Series
IHW30N90R
q
80A
TC=80°C
60A
TC=110°C
40A
Ic
20A
0A
100Hz
1kHz
10kHz
100kHz
f, SWITCHING FREQUENCY
Figure 1. Collector current as a function of
switching frequency for triangular
current (Eon = 0, hard turn-off)
(Tj 175°C, D = 0.5, VCE = 600V,
VGE = 0/+15V, RG = 15Ω)
tp=1µs
10µs
20µs
10A 50µs
200µs
1ms
1A
DC
1V
10V
100V
1000V
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
Figure 2. IGBT Safe operating area
(D = 0, TC = 25°C,
Tj 175°C;VGE=15V)
400W
350W
300W
250W
200W
150W
100W
50W
0W
25°C 50°C 75°C 100°C 125°C 150°C
TC, CASE TEMPERATURE
Figure 3. Power dissipation as a function of
case temperature
(Tj 175°C)
50A
40A
30A
20A
10A
0A
25°C
75°C
125°C
TC, CASE TEMPERATURE
Figure 4. Collector current as a function of
case temperature
(VGE 15V, Tj 175°C)
Power Semiconductors
4
Rev. 2.2 Nov 08

4페이지










H30R90 전자부품, 판매, 대치품
Soft Switching Series
IHW30N90R
q
4.0mJ
3.0mJ
Eoff
2.0mJ
1.0mJ
0.0mJ
0A
10A 20A 30A 40A 50A
IC, COLLECTOR CURRENT
Figure 13. Typical switching energy losses
as a function of collector current
(inductive load, TJ=175°C,
VCE=600V, VGE=0/15V, RG=15,
Dynamic test circuit in Figure E)
3.0mJ
2.0mJ
Eoff
1.0mJ
0.0mJ
20Ω 30Ω 40Ω
RG, GATE RESISTOR
Figure 14. Typical switching energy losses
as a function of gate resistor
(inductive load, TJ=175°C,
VCE=600V, VGE=0/15V, IC=30A,
Dynamic test circuit in Figure E)
2.0mJ
Eoff
1.5mJ
1.0mJ
0.5mJ
0.0mJ
25°C 50°C 75°C 100°C 125°C 150°C
TJ, JUNCTION TEMPERATURE
Figure 15. Typical switching energy losses
as a function of junction
temperature
(inductive load, VCE=600V,
VGE=0/15V, IC=30A, RG=15,
Dynamic test circuit in Figure E)
Power Semiconductors
7
Rev. 2.2 Nov 08

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