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15P12 데이터시트 PDF



특징 및 기능

Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 15P12은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.

15P12의 기능 및 특징 중 하나는 "FQP15P12" 입니다.

일반적으로, Fairchild Semiconductor에서 제조되는 전자부품들은 우수한 성능과
품질에 대한 신뢰성을 갖추고 있습니다.



PDF 형식의 15P12 자료 제공

부품번호 15P12 기능
기능 FQP15P12
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


15P12 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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15P12 데이터시트, 핀배열, 회로
FQP15P12/FQPF15P12
120V P-Channel MOSFET
QFET®
General Description
These P -Channel enhanc ement m ode pow er f ield effect
transistors ar e prod uced using F airchild’s proprietary,
planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially t ailored to
minimize on-st ate resist ance, provide superior swit ching
performance, and wit hstand high energy pulse in t he
avalanche and commutation mode. These devices are well
suited for low voltage applications such as audio amplifier,
high efficiency switching DC/DC converters, and DC motor
control.
Features
• -15A, -120V, RDS(on) = 0.2Ω @VGS = -10 V
• Low gate charge ( typical 29 nC)
• Low Crss ( typical 110 pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
• 175°C maximum junction temperature rating
S
!
GDS
TO-220
FQP Series
GD S
TO-220F
FQPF Series
G!
●
●
▶▲
●
!
D
Absolute Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
VDSS
Drain-Source Voltage
ID Drain Current - Continuous (TC = 25°C)
- Continuous (TC = 100°C)
IDM Drain Current - Pulsed
(Note 1)
VGSS
Gate-Source Voltage
EAS Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
IAR Avalanche Current
(Note 1)
EAR Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
PD Power Dissipation (TC = 25°C)
- Derate above 25°C
TJ, TSTG
Operating and Storage Temperature Range
TL
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8" from case for 5 seconds
* Drain current limited by maximum junction temperature.
FQP15P12
FQPF15P12
-120
-15 -15 *
-10.6
-10.6 *
-60 -60 *
± 30
1157
-15
10
-5.0
100 41
0.67
0.27
-55 to +175
300
Units
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/°C
°C
°C
Thermal Characteristics
Symbol
RθJC
RθJS
RθJA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
FQP15P12
1.5
40
62.5
FQPF15P12
3.66
--
62.5
Units
°C/W
°C/W
°C/W
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, December 2003
http://www.Datasheet4U.com




15P12 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (Continued)
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
-100
※ Notes :
1. VGS = 0V
2. I =-250μ A
D
-50 0
50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Operation in This Area
102 is Limited by R DS(on)
100 µs
1 ms
101 10 ms
DC
100
10-1
100
※ Notes :
1. TC = 25 oC
2. TJ = 175oC
3. Single Pulse
101
-VDS, Drain-Source Voltage V[ ]
102
Figure 9-1. Maximum Safe Operating Area
for FQP15P12
20
15
10
5
0
25 50 75 100 125 150 175
T , Case Temperature [℃]
C
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
※ Notes :
1. VGS = -10 V
2. ID = -7.5 A
-50 0 50 100 150
TJ, JunctionTemperature [oC]
200
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
Operation in This Area
102 is Limited by RDS(on)
101
100
10-1
100
100 µs
1 ms
10 ms
DC
※ Notes :
1. TC = 25 oC
2. TJ = 175 oC
3. Single Pusl e
101
-VDS, Drain-Source Voltage[V]
102
Figure 9-2. Maximum Safe Operating Area
for FQPF15P12
Rev. A, December 2003

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15P12 전자부품, 판매, 대치품
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
I SD
Driver
RG
VGS
+
VDS
_
L
Compliment of DUT
(N-Channel)
• dv/dt controlled by RG
•I SD controlled by pulse period
VDD
VGS
( Driver )
I SD
( DUT )
VDS
( DUT )
D
=
--G--a--t-e--P--u--l-s-e---W---i-d-t-h--
Gate Pulse Period
10V
Body Diode Reverse Current
IRM
IFM , Body Diode Forward Current
VSD
di/dt
Body Diode
Forward Voltage Drop
Body Diode Recovery dv/dt
VDD
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, December 2003

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부품번호상세설명 및 기능제조사
15P12

FQP15P12

Fairchild Semiconductor
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