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F8N60 데이터시트 PDF




Pan Jit International에서 제조한 전자 부품 F8N60은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 F8N60 자료 제공

부품번호 F8N60 기능
기능 PJF8N60
제조업체 Pan Jit International
로고 Pan Jit International 로고


F8N60 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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F8N60 데이터시트, 핀배열, 회로
PJP8N60 / PJF8N60
600V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
FEATURES
• 8A , 600V, RDS(ON)=1.2@VGS=10V, ID=4.0A
TO-220AB / ITO-220AB
TO-220AB
• Low ON Resistance
• Fast Switching
• Low Gate Charge
• Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
• Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charge and SMPS
• In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives
3
1
2
GD
S
ITO-220AB
1
2
3
D
S
G
MECHANICAL DATA
• Case: TO-220AB / ITO-220AB Molded Plastic
• Terminals : Solderable per MIL-STD-750,Method 2026
ORDERING INFORMATION
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
Drain
TYPE
PJP8N60
PJF8N60
MARKING
P8N60
F8N60
PACKAGE
TO-220AB
ITO-220AB
PACKING
50PCS/TUBE
50PCS/TUBE
Gate
Source
Maximum RATINGS and Thermal Characteristics (TA=25OC unless otherwise noted )
PA RA ME TE R
Symbol PJP8N60 PJF8N60
Drain-Source Voltage
VDS 600
Gate-Source Voltage
VGS +30
Continuous Drain Current
ID 8
8
Pulsed Drain Current 1)
Maximum Power Dissipation
Derating Factor
TA= 2 5 OC
IDM
PD
32
125
1.0
32
45
0.39
Op e ra ti ng J uncti o n a nd S to ra g e Te mp e r a ture Ra ng e
Avalanche Energy with Single Pulse
IAS=8.0A, VDD=50V, L=15.6mH
Junction-to-Case Thermal Resistance
TJ,TSTG
E AS
RθJC
-55 to +150
500
1 2.78
Junction-to Ambient Thermal Resistance
RθJA
62.5
100
Note: 1. Maximum DC current limited by the package
Uni ts
V
V
A
A
W
OC
mJ
OC /W
OC /W
PAN JIT RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCTDESIGN,FUNCTIONSAND RELIABILITYWITHOUTNOTICE
May 10,2010-REV.01
PAGE . 1
http://www.Datasheet4U.com




F8N60 pdf, 반도체, 판매, 대치품
PJP8N60 / PJF8N60
Typical Characteristics Curves ( Ta=25, unless otherwise noted)
12
ID =8A
10
VDS=480V
8 VDS=300V
6 VDS=120V
4
2
0
0 5 10 15 20
Qg - Gate Charge (nC)
Fig. 7 Gate Charge Waveform
1.2
ID = 250µA
1.1
1
0.9
0.8
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
TJ - Junction Temperature (oC)
Fig.9 Breakdown Voltage vs Junction Temperature
100
VGS = 0V
10
TJ = 125oC
1
0.1
25oC
-55oC
0.01
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
VSD - Source-to-Drain Voltage (V)
Fig.8 Source-Drain Diode Forward Voltage
May 10,2010-REV.01
PAGE. 4

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