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PDF 60R190E6 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 60R190E6 | |
| Descripción | IPA60R190E6 | |
| Fabricantes | Infineon Technologies | |
| Logotipo |  |
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MOSFET
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
CoolMOS E6
600V CoolMOS™ E6 Power Transistor
IPx60R190E6
Data Sheet
Rev. 2.0, 2010-05-03
Final
Industrial & Multimarket
1 page  
3 Thermal characteristics
600V CoolMOS™ E6 Power Transistor
IPx60R190E6
Thermal characteristics
Table 3 Thermal characteristics TO-220 (IPP60R190E6),TO-247 (IPW60R190E6)
Parameter
Symbol
Min.
Values
Typ.
Max.
Unit Note /
Test Condition
Thermal resistance, junction - case RthJC
-
-
0.83
°C/W
Thermal resistance, junction -
RthJA
-
-
62
ambient
leaded
Soldering temperature,
Tsold
-
-
260 °C 1.6 mm (0.063 in.)
wavesoldering only allowed at
from case for 10 s
leads
Table 4 Thermal characteristics TO-220 FullPAK (IPA60R190E6)
Parameter
Symbol
Values
Min.
Typ.
Max.
Thermal resistance, junction - case RthJC
-
-
3.7
Thermal resistance, junction -
RthJA
-
-
80
ambient
Soldering temperature,
Tsold
-
-
260
wavesoldering only allowed at
leads
Unit Note /
Test Condition
°C/W
leaded
°C 1.6 mm (0.063 in.)
from case for 10 s
Final Data Sheet
5 Rev. 2.0, 2010-05-03
5 Page 
Table 15
Typ. transfer characteristics
600V CoolMOS™ E6 Power Transistor
IPx60R190E6
Electrical characteristics diagrams
Typ. gate charge
ID=f(VGS); VDS=20V
Table 16
Avalanche energy
VGS=f(Qgate), ID=9.5A pulsed
Drain-source breakdown voltage
EAS=f(Tj); ID=3.4 A; VDD=50 V
Final Data Sheet
VBR(DSS)=f(Tj); ID=0.25 mA
11 Rev. 2.0, 2010-05-03
11 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 60R190E6 | IPA60R190E6 | Infineon Technologies |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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