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F25JZ51 데이터시트 PDF




Toshiba에서 제조한 전자 부품 F25JZ51은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 F25JZ51 자료 제공

부품번호 F25JZ51 기능
기능 SF25JZ51
제조업체 Toshiba
로고 Toshiba 로고


F25JZ51 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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F25JZ51 데이터시트, 핀배열, 회로
SF25GZ51,SF25JZ51
TOSHIBA THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE
SF25GZ51,SF25JZ51
MEDIUM POWER CONTROL APPLICATIONS
Unit in mm
l Repetitive Peak OffState Voltage : VDRM = 400, 600 V
Repetitive Peak Reverse Voltage : VRRM = 400, 600 V
l Average OnState Current
: IT (AV) = 25 A
l Isolation Voltage
: VIsol = 1500 V AC
MAXIMUM RATINGS
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Repetitive Peak
OffState Voltage and
Repetitive Peak Reverse
Voltage
SF25GZ51
SF25JZ51
NonRepetitive Peak
Reverse Voltage
(NonRepetitive < 5 ms,
Tj = 0~125°C)
SF25GZ51
SF25JZ51
Average OnState Current
(Half Sine Waveform)
R.M.S OnState Current
Peak One Cycle Surge OnState
Current (NonRepetitive)
I2t Limit Value
Critical Rate of Rise of OnState
Current
(Note)
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Forward Gate Voltage
Peak Reverse Gate Voltage
Peak Forward Gate Current
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Isolation Voltage (AC, t = 1 min.)
VDRM
VRRM
VRSM
IT (AV)
IT (RMS)
ITSM
I2t
di / dt
PGM
PG (AV)
VFGM
VRGM
IGM
Tj
Tstg
VIsol
400
600
500
720
25
39
350 (50 Hz)
385 (60 Hz)
612
100
5
0.5
10
-5
2
-40~125
-40~125
1500
V
V
A
A
A
A2s
A / µs
W
W
V
V
A
°C
°C
V
Note : di / dt Test Condition, iG = 30mA, tgw = 10µs, tgr 250ns
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight : 5.9g
1316A1B
1 2001-05-10




F25JZ51 pdf, 반도체, 판매, 대치품
SF25GZ51,SF25JZ51
4 2001-05-10

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