A1930 - PNP Transistor

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A1930 기능

기능

PNP Transistor - 2SA1930

제조업체

Toshiba Semiconductor

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TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type

2SA1930

Power Amplifier Applications

Driver Stage Amplifier Applications

2SA1930

Unit: mm

• High transition frequency: fT = 200 MHz (typ.)

• Complementary to 2SC5171

Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Base current

Collector power

dissipation

Ta = 25°C

Tc = 25°C

VCBO

VCEO

VEBO

−180

−5

−2

−1

2.0

JEDEC

―

Junction temperature

Storage temperature range

Tj 150 °C

Tstg

−55 to 150

°C

JEITA

TOSHIBA

SC-67

2-10R1A

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in

Weight: 1.7 g (typ.)

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating

conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report

and estimated failure rate, etc).

1 2007-06-15

http://www.Datasheet4U.com

2SA1930

100

Curves should be applied in thermal limited

area. (single non-repetitive pulse)

rth – tw

No heat sink

Infinite heat sink

0.1

0.001

0.01

0.1 1 10

Pulse width tw (s)

100 1000

4 2007-06-15

http://www.Datasheet4U.com

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특징 및 기능

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사이트 맺음말

부품번호	상세설명 및 기능	제조사
A1930	PNP Transistor - 2SA1930	Toshiba Semiconductor
A1931	Silicon PNP Epitaxial Type Transistor	Toshiba