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부품번호 | 3DG3020A1 기능 |
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기능 | Silicon NPN bipolar transistor | ||
제조업체 | Huajing | ||
로고 | |||
华润华晶分立器件
硅 NPN 低频放大双极型晶体管
○R
3DG3020A1
1 产品概述:
3DG3020A1 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品采用平面工艺, 特征参数
分压环终端结构和少子寿命控制技术,集成了有源抗饱和网络,提高 VCEO
了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。
产品封装形式:TO-92,符合 RoHS 指令要求。
IC
Ptot (Ta=25℃)
2 产品特点:
TO-92
450
1.5
0.8
V
A
W
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 高温特性好
● 开关损耗低
● 可靠性高
3 主要用途:
主要用于紧凑型电子节能灯、电子充电器、计算机辅助电源等功率
开关电路,是该类电子产品的核心部件。
1
2
3
1. B 2. C 3. E
内部等效电原理图
C
B VD
E
产品中有毒有害物质或元素的名称及含量
有害物质或元素
部件名称
铅
汞
镉 六 价 铬 多溴联苯 多溴二苯醚
(Pb) (Hg) (Cd) (Cr(VI)) (PBB) (PBDE)
(含量要求) ≤0.1%
≤0.1% ≤0.01% ≤0.1%
≤0.1%
≤0.1%
引线框
○
○
○
○
○
○
塑封树脂
○
○
○
○
○
○
管芯
○
○
○
○
○
○
内引线
○
○
○
○
○
○
焊料
○
○
○
○
○
○
说明
○:表示该有毒有害物质的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
×:表示该有毒有害物质的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
无锡华润华晶微电子有限公司
第 1 页 共 5 页 2010 版
华润华晶分立器件
○R 3DG3020A1
图 5 VCEsat - IC关系曲线
VCEsat(V10)
图 6 VBEsat - IC关系曲线
VBEs1at(.V5)
1
0.1
0.01
0.01
Ta=125℃
Ta=25℃
IC/IB=B 5
0.1 1 Ic(A10)
1
0.5
0.01
Ta=25℃
Ta=125℃
IC/IB=B 5
0.1 1 Ic(1A0)
图 7 ts-Ic关系曲线 (UI9600)
ts(μs6)
5
4
3
2
1
0
0
Ta=25℃
0.2 0.4 Ic(0A.6)
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2010 版
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
3DG3020A1 | Silicon NPN bipolar transistor | Huajing |
3DG3020A1 | High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor | Galaxy Microelectronics |
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