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TM2314FN 데이터시트 PDF




TECH MOS에서 제조한 전자 부품 TM2314FN은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 TM2314FN 자료 제공

부품번호 TM2314FN 기능
기능 N-Channel High Density Trench MOSFET
제조업체 TECH MOS
로고 TECH MOS 로고


TM2314FN 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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TM2314FN 데이터시트, 핀배열, 회로
TECH MOS Technology.
N-Channel High Density Trench MOSFET
TM2314FN
PRODUCT SUMMARY
VDSS
ID RDS(on) (m-ohm) Max
5.4 30 @ VGS = 4.5V
20V
4.3 46 @ VGS = 2.5V
FEATURES
●Super high dense cell trench design for low RDS(on).
●Rugged and reliable.
●Surface Mount package.
SOT-23-3L
D
S
G
D
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuousa @ TA = 25 °C
-Pulse b
Drain-Source Diode Forward Currenta
Maximum Power Dissipationa
TA=25°C
TA=75°C
Operating Junction and Storage
Temperature Range
Symbol
VDS
VGS
ID
IDM
IS
PD
TJ,TSTG
Limit
20
± 12
5.4
21.5
1.7
1.25
0.75
- 55 to 150
Unit
V
V
A
A
A
W
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance,Junction-to-Ambienta
Note
a. Surface Mounted on FR4 Board , t ≤ 10sec .
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.
DS-TM2314FN-01 Apr. , 2006
RthJA
1
100 °C/W




TM2314FN pdf, 반도체, 판매, 대치품
TM2314FN
40
1200 RDS(ON) Limit
1
0.001S
0.01S
0.1
0.04
0.1
VGS=4.5V
Single Pulse
TA=25 C
1
0.1S
DC
10 20 50
VDS , Drain-Source Voltage (V)
Figure 7. Maximum Safe Operating
Area
20.00
10.00
1.00
0.70 0.80 0.89 0.97 1.04 1.11
VSD , Body Diode Forward Voltage (V)
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current
Vin
VGS RGEN
G
VDD
RL
D Vout
S
VDS
90%
10%
VGS
td(on) t r
Figure 9. Switching Test Circuit and Switching
Waveforms
t d(off) t f
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
10 -4
Single Pulse
10 -3
10 -2
10 -1
PDM
t1
t2
1. RthJA (t)=r (t) * RthJA
2. RthJA=See Datasheet
3. TJM - TA = PDM * RthJA (t)
4. Duty Cycle, D = t1/t2
1 10
Square Wave Pulse Duration (sec)
Figure 10. Normalized Thermal Transient Impedance Curve
DS-TM2314FN-01 Apr. , 2006
4
30

4페이지












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