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부품번호 | ET830 기능 |
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기능 | N-Channel MOSFET | ||
제조업체 | ESTEK | ||
로고 | |||
전체 5 페이지수
5 Amps,500Volts
N-Channel MOSFET
■ Description
The ET830 N-Channel enhancement mode silicon gate power
MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching
applications such as switching regulators, switching converters,
solenoid, motor drivers, relay drivers.
■ Features
RDS(ON) = 1.5Ω@VGS = 10 V
Low gate charge ( typical 20nC)
Fast switching capability
Avalanche energy specified
Improved dv/dt capability
■ Symbol
ET830
■ Absolute Maximum Ratings(Tc=25℃,unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Ratings
TO-220 TO-220F
Drain-Source Voltage
VDSS
500
Gate-Source Voltage
Drain Currenet Continuous
Tc=25℃
Tc=100℃
Drain Current Pulsed
(Note 1)
VGSS
ID
IDP
±30
5.0 5.0*
3.0 3.0*
20 20*
Avalanche Energy
Repetitive (Note 1)
Single Pulse (Note 2)
EAR
EAS
7.6
305
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
dv/dt
4.5
Total Power Dissipation
Tc=25℃
Derate above 25℃
PD
76 40
0.6 0.32
Junction Temperature
Storage Temperature
*
Drain current limited by maximum junction temperature.
TJ
TSTG
+150
-55~+150
Units
V
V
A
A
A
mJ
mJ
V/ns
W
W/℃
℃
℃
1 BEIJING ESTEK ELECTRONICS CO.,LTD
■ Typical Characteristics (Continued)
ET830
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
Figure 9-1. Maximum Safe Operating Area
for TO220
Figure 9-2. Maximum Safe Operating Area
for TO220F
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
4
BEIJING ESTEK ELECTRONICS CO.,LTD
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
ET830 | N-Channel MOSFET | ESTEK |
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