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부품번호 | TK31J60W 기능 |
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기능 | Silicon N-Channel MOS | ||
제조업체 | Toshiba | ||
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전체 10 페이지수
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)
TK31J60W
1. Applications
• Switching Voltage Regulators
2. Features
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.073 Ω (typ.)
by used to Super Junction Structure : DTMOS
(2) Easy to control Gate switching
(3) Enhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7 V (VDS = 10 V, ID = 1.5 mA)
3. Packaging and Internal Circuit
TK31J60W
TO-3P(N)
1: Gate
2: Drain (Heatsink)
3: Source
1 2012-08-28
Rev.2.0
7. Marking (Note)
TK31J60W
Fig. 7.1 Marking
Note:
A line under a Lot No. identifies the indication of product Labels.
Not underlined: [[Pb]]/INCLUDES > MCV
Underlined: [[G]]/RoHS COMPATIBLE or [[G]]/RoHS [[Pb]]
Please contact your TOSHIBA sales representative for details as to environmental matters such as the RoHS
compatibility of Product.
The RoHS is the Directive 2002/95/EC of the European Parliament and of the Council of 27 January 2003 on
the restriction of the use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment.
4 2012-08-28
Rev.2.0
4페이지 TK31J60W
Fig. 8.13 rth - tw
(Guaranteed Maximum)
Fig. 8.14 EAS - Tch
(Guaranteed Maximum)
Fig. 8.15 PD - Tc
(Guaranteed Maximum)
Fig. 8.16 Test Circuit/Waveform
7 2012-08-28
Rev.2.0
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구 성 | 총 10 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
TK31J60W | Silicon N-Channel MOS | Toshiba |
TK31J60W5 | MOSFET ( Transistor ) | Toshiba Semiconductor |
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