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FJL4215 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FJL4215은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FJL4215 자료 제공

부품번호 FJL4215 기능
기능 PNP Epitaxial Silicon Transistor
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FJL4215 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FJL4215 데이터시트, 핀배열, 회로
2SA1943/FJL4215
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Applications
• High-Fidelity Audio Output Amplifier
• General Purpose Power Amplifier
Features
• High Current Capability: IC = -17A.
• High Power Dissipation : 150watts.
• High Frequency : 30MHz.
• High Voltage : VCEO= -250V
• Wide S.O.A for reliable operation.
• Excellent Gain Linearity for low THD.
• Complement to 2SC5200/FJL4315.
• Full thermal and electrical Spice models are available.
• Same transistor is also available in:
-- TO3P package, 2SA1962/FJA4213 : 130 watts
-- TO220 package, FJP1943 : 80 watts
-- TO220F package, FJPF1943 : 50 watts
Absolute Maximum Ratings* Ta = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BVCBO
BVCEO
BVEBO
IC
IB
PD
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base Current
Total Device Dissipation(TC=25°C)
Derate above 25°C
TJ, TSTG
Junction and Storage Temperature
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Thermal Characteristics* Ta=25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case
* Device mounted on minimum pad size
hFE Classification
Classification
hFE1
R
55 ~ 110
© 2009 Fairchild Semiconductor Corporation
2SA1943/FJL4215 Rev. C
1
January 2009
1 TO-264
1.Base 2.Collector 3.Emitter
Ratings
-250
-250
-5
-17
-1.5
150
1.04
- 50 ~ +150
Units
V
V
V
A
A
W
W/°C
°C
Max.
0.83
Units
°C/W
O
80 ~ 160
www.fairchildsemi.com




FJL4215 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
1E-6
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
Pulse duration [sec]
0.1
Figure 7. Thermal Resistance
1
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25 50 75 100 125 150 175
T [oC], CASE TEMPERATURE
C
Figure 9. Power Derating
100
IC MAX. (Pulsed*)
10
IC MAX. (DC)
1
10ms*
100ms*
DC
0.1
*SINGLE NONREPETITIVE
PULSE TC=25[oC]
0.01
1
10
100
VCE [V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
Figure 8. Safe Operating Area
© 2009 Fairchild Semiconductor Corporation
2SA1943/FJL4215 Rev. C
4
www.fairchildsemi.com

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