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ELM1314-9F 데이터시트 PDF




Eudyna에서 제조한 전자 부품 ELM1314-9F은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 ELM1314-9F 자료 제공

부품번호 ELM1314-9F 기능
기능 Ku-Band Internally Matched FET
제조업체 Eudyna
로고 Eudyna 로고


ELM1314-9F 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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ELM1314-9F 데이터시트, 핀배열, 회로
ELM1314-9F
Ku-Band Internally Matched FET
FEATURES
•High Output Power: P1dB=39.5dBm(Typ.)
•High Gain: G1dB=6.0dB(Typ.)
•High PAE: ηadd=30%(Typ.)
•Broad Band: 13.75 to 14.5GHz
•Impedance Matched Zin/Zout = 50ohm
•Hermetically Sealed Package
DESCRIPTION
The ELM1314-9F is a power GaAs FET that is internally matched
for standard communication bands to provide optimum power and
gain in a 50ohm system.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Ite m
Symbol
Drain-Source Voltage (Tc=25deg.C)
Gate-Source Voltage (Tc=25deg.C)
Total Pow er Dissipation
Storage Tem perature
Channel Tem perature
VDS
V GS
PT
Tstg
Tch
Rating
15
-5
35.7
-55 to +125
+175
Unit
V
V
W
deg.C
deg.C
RECOMMENDED OPERATING CONDITION
Ite m
Sym bol
DC Input Voltage
Forw ard Gate Current
Reverse Gate Current
Storage Tem perature
Channel Tem perature
VDS
IGF
IGR
Tstg
Tch
Condition
RG=100 ohm
RG=100 ohm
Recom m end
10
+19.5
-4.3
-55 to +125
+155
Unit
V
mA
mA
deg.C
deg.C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Case Temperature Tc=25deg.C)
Ite m
Sym bol
Condition
Lim it
Min. Typ. Max.
Unit
Drain Current
IDSS VDS=5V , VGS=0V
- 4.1 6.2
A
Trans conductance
Pinch-off Voltage
gm VDS=5V , IDS=2A
Vp VDS=5V , IDS=175mA
- 2.9 -
-0.5 -1.5 -3.0
S
V
Gate-Source Breakdow n Voltage
Output Pow er at 1dB G.C.P.
Pow er Gain at 1dB G.C.P.
Drain Current
Pow er-added Efficiency
Gain Flatness
3rd Order Interm odulation
Dis tor tion
V GSO
P1dB
G1dB
Idsr
Nadd
G
IM3
IGS=-175uA
VDS=10V
f= 13.75 to 14.5 GHz
IDSDC=1.75A (typ.)
Zs=ZL=50 ohm
f=14.5 GHz
f=10MHz2-tone Test
Pout=33.0dBm (S.C.L.)
-5.0
39.0
5.0
-
-
-
-25
-
39.5
6.0
2.4
30
-
-30
-
-
-
2.8
-
1.2
-
V
dBm
dB
A
%
dB
dBc
Therm al Resistance
Rth Channel to Case
- 3.5 4.2 deg.C/W
Channel Tem perature Rise
CASE STYLE : IA
Tch
10V x Idsr X Rth
- - 100 deg.C
S.C.L. : Single Carrier Level G.C.P.: Gain Com pression Point
ESD Class 3A 4000V to 8000V
Note : Based on EIAJ ED-4701 C-111A (C=100pF, R=1.5kohm)
RoHS COMPLIANCE
Yes
Edition 1.3
Jul. 2012
1




ELM1314-9F pdf, 반도체, 판매, 대치품
Package Out Line
Case Style : IA
1
2
3
Edition 1.3
Jul. 2012
ELM1314-9F
Ku-Band Internally Matched FET
4
PIN ASSIGNMENT
1 : GATE
2 : SOURCE
3 : DRAIN
4 : SOURCE
Unit : mm
4

4페이지












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