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ELM1314-30F-001 데이터시트 PDF




SUMITOMO에서 제조한 전자 부품 ELM1314-30F-001은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 ELM1314-30F-001 자료 제공

부품번호 ELM1314-30F-001 기능
기능 Ku-Band Internally Matched FET
제조업체 SUMITOMO
로고 SUMITOMO 로고


ELM1314-30F-001 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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ELM1314-30F-001 데이터시트, 핀배열, 회로
ELM1314-30F/001
Ku-Band Internally Matched FET
FEATURES
•High Output Power: P1dB=44.5dBm(typ.)
•High Gain: G1dB=5.5dB(typ.)
•High PAE: ηadd=22%(typ.)
•Broad Band: 13.75 to 14.5GHz
•Impedance Matched Zin/Zout = 50ohm
•Hermetically Sealed Package
DESCRIPTION
The ELM1314-30F/001 is a power GaAs FET that is internally matched
for standard communication bands to provide optimum power and
gain in a 50ohm system.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Ite m
Drain-Source Voltage (Tc=25deg.C)
Gate-Source Voltage (Tc=25deg.C)
Total Pow er Dissipation
Storage Tem perature
Channel Tem perature
Symbol
VDS
V GS
PT
Tstg
Tch
Rating
15
-5
115.3
-55 to +125
175
Unit
V
V
W
deg.C
deg.C
RECOMMENDED OPERATING CONDITION
Ite m
Sym bol
DC Input Voltage
Forw ard Gate Current
Reverse Gate Current
Storage Tem perature
Channel Tem perature
VDS
IGF
IGR
Tstg
Tch
Condition
RG=24 ohm
RG=24 ohm
-55 to +125
Lim it
10
78.0
-16.9
+155
Unit
V
mA
mA
deg.C
deg.C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Case Temperature Tc=25deg.C)
Ite m
Sym bol
Condition
Lim it
Min. Typ. Max.
Unit
Drain Current
IDSS VDS=5V , VGS=0V
- 16.4 -
A
Trans conductance
gm VDS=5V , IDS=8A
- 11.6 -
S
Pinch-off Voltage
Vp VDS=5V , IDS=700mA
-0.5 -1.5 -3.0
V
Gate-Source Breakdow n Voltage
VGSO IGS=-700uA
-5.0 -
-
V
Output Pow er at 1dB G.C.P.
Pow er Gain at 1dB G.C.P.
Drain Current
Pow er-added Efficiency
Gain Flatness
3rd Order Interm odulation
Dis tor tion
P1dB
G1dB
Idsr
Nadd
G
VDS=10V
f= 13.75 to 14.5 GHz
IDSDC=7.0A (typ.)
Zs=ZL=50 ohm
f=14.5 GHz
44.0 44.5
-
5.0 5.5
-
- 9.0 10.4
- 22 -
- - 1.6
IM3 f=10MHz2-tone Test -25 -30
Pout=38.0dBm (S.C.L.)
-
dBm
dB
A
%
dB
dBc
Therm al Resistance
Rth Channel to Case
- 1.0 1.3 deg.C / W
Channel Tem perature Rise
Tch
(10V x Idsr + Pin - Pout ) X Rth
- - 100 deg.C
CASE STYLE : M2A
S.C.L. : Single Carrier LeveGl .C.P.: Gain Com pression Point
ESD Class 3A 4000V to 8000V
Note : Based on EIAJ ED-4701 C-111A (C=100pF, R=1.5kohm)
RoHS COMPLIANCE
Yes
Edition 1.1
Jul. 2012
1




ELM1314-30F-001 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Package Out Line
Case Style : M2A
ELM1314-30F/001
Ku-Band Internally Matched FET
Edition 1.1
Jul. 2012
PIN ASSIGNMENT
1 : GATE
2 : SOURCE
3 : DRAIN
4 : SOURCE
Unit : mm
4

4페이지












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