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BSC030N04NSG 데이터시트 PDF




Infineon Technologies AG에서 제조한 전자 부품 BSC030N04NSG은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BSC030N04NSG 자료 제공

부품번호 BSC030N04NSG 기능
기능 Power Transistor
제조업체 Infineon Technologies AG
로고 Infineon Technologies AG 로고


BSC030N04NSG 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 10 페이지수

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BSC030N04NSG 데이터시트, 핀배열, 회로
OptiMOS™3 Power-Transistor
Features
• Fast switching MOSFET for SMPS
• Optimized technology for DC/DC converters
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• N-channel; Normal level
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Very low on-resistance R DS(on)
• Superior thermal resistance
• 100% Avalanche tested
• Pb-free plating; RoHS compliant
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
BSC030N04NS G
Product Summary
V DS
R DS(on),max
ID
40 V
3.0 m
100 A
PG-TDSON-8
Type
BSC030N04NS G
Package
PG-TDSON-8
Marking
030N04NS
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
I D V GS=10 V, T C=25 °C
V GS=10 V, T C=100 °C
Pulsed drain current3)
Avalanche current, single pulse4)
Avalanche energy, single pulse
Gate source voltage
1) J-STD20 and JESD22
V GS=10 V, T A=25 °C,
R thJA=50 K/W2)
I D,pulse
I AS
E AS
V GS
T C=25 °C
T C=25 °C
I D=50 A, R GS=25
Value
100
84
23
400
50
115
±20
Unit
A
mJ
V
Rev. 1.04
page 1
2009-10-22




BSC030N04NSG pdf, 반도체, 판매, 대치품
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
2 Drain current
I D=f(T C); V GS10 V
BSC030N04NS G
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 40 80
T C [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
103
limited by on-state
resistance
120
1 µs
10 µs
102 100 µs
10 ms
DC
101 1 ms
100
10-1
10-1
Rev. 1.04
100 V DS [V] 101
120
100
80
60
40
20
0
160 0
40 80 120
T C [°C]
4 Max. transient thermal impedance
Z thJC=f(t p)
parameter: D =t p/T
10
160
1
0.5
0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.01
single pulse
0.01 0 0 0 0 0
102 10-6 10-5 10-4 t 1p0[-s3 ] 10-2
page 4
0
10-1
1
100
2009-10-22

4페이지










BSC030N04NSG 전자부품, 판매, 대치품
13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25
parameter: T j(start)
100
25 °C
125 °C
100 °C
10
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=30 A pulsed
parameter: V DD
12
BSC030N04NS G
20 V
10
8V
8
32 V
6
4
2
1
1 10 100
t AV [µs]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA
0
1000
0 10 20 30 40 50
Q gate [nC]
16 Gate charge waveforms
45
V GS
Qg
40
35
30 V g s(th)
25
Q g(th)
20
-60 -20 20 60 100 140 180
T j [°C]
Rev. 1.04
page 7
Q gs
Q sw
Q gd
Q gate
2009-10-22

7페이지


구       성 총 10 페이지수
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