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부품번호 | BSC039N06NS 기능 |
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기능 | Power Transistor | ||
제조업체 | Infineon Technologies AG | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
Type
OptiMOSTM Power-Transistor
Features
• Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.
• 100% avalanche tested
• Superior thermal resistance
• N-channel
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
BSC039N06NS
Product Summary
VDS
RDS(on),max
ID
QOSS
QG(0V..10V)
60 V
3.9 mW
100 A
32 nC
27 nC
PG-TDSON-8
Type
BSC039N06NS
Package
PG-TDSON-8
Marking
039N06NS
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Value
Unit
Continuous drain current
I D V GS=10 V, T C=25 °C
100 A
V GS=10 V, T C=100 °C
65
V GS=10 V, T C=25 °C,
R thJA =50K/W2)
19
Pulsed drain current3)
Avalanche energy, single pulse4)
I D,pulse
E AS
T C=25 °C
I D=50 A, R GS=25 W
400
50 mJ
Gate source voltage
V GS
±20 V
1) J-STD20 and JESD22
2) Device on 40 x 40 x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain connection.
PCB is vertical in still air.
3) See figure 3 for more detailed information
4) See figure 13 for more detailed information
Rev.2.1
page 1
2012-12-07
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
2 Drain current
I D=f(T C); V GS≥10 V
BSC039N06NS
80 120
100
60
80
40 60
40
20
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175
TC [°C]
0
0 25 50 75 100 125 150 175
TC [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
4 Max. transient thermal impedance
Z thJC=f(t p)
parameter: D =t p/T
103
limited by on-state
resistance
10
1 µs
102 10 µs
100 µs
1 0.5
101
1 ms
10 ms
0.2
0.1
DC
100
0.05
0.1
0.02
0.01
single pulse
10-1
10-1
Rev.2.1
100 101
VDS [V]
0.01
102
0.000001 0.00001 0.0001 0.001 0.01
0.1
tp [s]
page 4
2012-12-07
4페이지 13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25 W
parameter: T j(start)
100
10
125 °C
100 °C
25 °C
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=50 A pulsed
parameter: V DD
12
10
8
BSC039N06NS
30 V
12 V
48 V
6
14
0.1
1
10 100
tAV [µs]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA
2
1000
0
0
10 20
Qgate [nC]
16 Gate charge waveforms
30
70
V GS
Qg
66
62
58 V gs(th)
54
50
-60 -20 20
60 100 140 180
Tj [°C]
Q g(th)
Q gs
Rev.2.1
page 7
Q sw
Q gd
Q gate
2012-12-07
7페이지 | |||
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