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MDD3752 데이터시트 PDF




MagnaChip에서 제조한 전자 부품 MDD3752은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MDD3752 자료 제공

부품번호 MDD3752 기능
기능 P-Channel Trench MOSFET
제조업체 MagnaChip
로고 MagnaChip 로고


MDD3752 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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MDD3752 데이터시트, 핀배열, 회로
MDD3752
P-Channel Trench MOSFET, -40V, -43A, 17mΩ
General Description
The MDD3752 uses advanced MagnaChip’s Trench
MOSFET Technology to provided high performance in on-
state resistance, switching performance and reliability.
Low RDS(ON), Low Gate Charge can be offering superior
benefit in the application.
Features
VDS = -40V
ID = -43A @VGS = -10V
RDS(ON)
< 17mΩ @ VGS = -10V
< 25mΩ @ VGS = -4.5V
Applications
Inverters
General purpose applications
D
G
Absolute Maximum Ratings (TC =25o)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Characteristics
Continuous Drain Current
(Note 2)
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Single Pulse Avalanche Energy
Junction and Storage Temperature Range
TC=25oC
TC=100oC
TC=25oC
TC=100oC
(Note 3)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDM
PD
EAS
TJ, Tstg
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1)
Symbol
RθJA
RθJC
S
Rating
-40
±20
43
27
-90
50
20
128
-55~+150
Unit
V
V
A
A
A
W
mJ
oC
Rating
40
2.5
Unit
oC/W
November 2008. Version 1.0
1 MagnaChip Semiconductor Ltd.




MDD3752 pdf, 반도체, 판매, 대치품
10
Note : ID = -20A
8
VDS = -20V
6
4
2
0
0 10 20 30 40
QG, Total Gate Charge [nC]
Fig.7 Gate Charge Characteristics
50
103
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
102
101
100
100 s
1 ms
10 ms
100 ms
DC
10-1
10-2
10-1
Single Pulse
RthJC=2.5/W
TC=25
100 101
-VDS, Drain-Source Voltage [V]
102
Fig.9 Maximum Safe Operating Area
100
D=0.5
0.2
0.1
10-1 0.05
0.02
single pulse
0.01
Notes :
Duty Factor, D=t1/t2
PEAK
T
J
=
P
DM
*
Zθ
JC*
Rθ
JC(t)
+
T
C
RΘ JC=2.5/W
10-2
10-4
10-3 10-2 10-1 100
t1, Rectangular Pulse Duration [sec]
101
Fig.11 Transient Thermal Response Curve
3.0n
2.5n
Ciss
2.0n
Ciss = Cgs + Cgd (Cds = shorted)
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
1.5n
1.0n
500.0p
Coss
Crss
Notes ;
1. VGS = 0 V
2. f = 1 MHz
0.0
0
10 20 30 40
-VDS, Drain-Source Voltage [V]
Fig.8 Capacitance Characteristics
50
40
30
20
10
0
25 50 75 100 125 150
TC, Case Temperature []
Fig.10 Maximum Drain Current vs. Case
Temperature
November 2008. Version 1.0
4 MagnaChip Semiconductor Ltd.

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