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D649 PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 D649
기능 2SD649
제조업체 Inchange Semiconductor
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D649 데이터시트, 핀배열, 회로
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SD649
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: VCBO= 1500V (Min)
·High Reliability
APPLICATIONS
·Designed for line-operated horizontal deflection output
applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
VCBO
VCES
VEBO
PARAMETER
i.cnCollector-Base Voltage
.iscsemCollector-Emitter Voltage
wwwEmitter-Base Voltage
VALUE
UNIT
1500
V
1500
V
5V
www.DataSheICet4U.comCollector Current- Continuous 3 A
ICP Collector Current-Pulse
PC
Collector Power Dissipation
@ TC90
TJ Junction Temperature
5A
35 W
130
Tstg Storage Temperature Range
-65~130
isc Websitewww.iscsemi.cn






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