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BTB04-600SL 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 BTB04-600SL은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BTB04-600SL 자료 제공

부품번호 BTB04-600SL 기능
기능 STANDARD 4A TRIAC
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


BTB04-600SL 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BTB04-600SL 데이터시트, 핀배열, 회로
® BTB04-600SL
STANDARD 4A TRIAC
MAIN FEATURES
Symbol
IT(RMS)
VDRM / VRRM
IGT(Q1)
Value
4
600
10
Unit
A
V
mA
DESCRIPTION
The BTB04-600SL 4 quadrants TRIAC is intended
for general purpose applications where high surge
current capability is required, such as lighting,
corded power tools, industrial.
This TRIAC features a gate current capability
sensitivity of 10mA.
A2
G
A1
A2
A1
A2 G
TO-220AB
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
IT(RMS)
ITSM
I2t
dI/dt
IGM
PG(AV)
Tstg
Tj
Parameter
RMS on-state current (full sine wave)
Non repetitive surge peak on-state current
(full cycle, Tj initial = 25°C)
I2t value for fusing
Critical rate of rise of on-state current
IG = 2 x IGT, tr 100 ns
Peak gate
Average gate power dissipation
Storage junction temperature range
Operating junction temperature range
TO-220AB
Tc = 105°C
F = 50 Hz
t = 20 ms
F = 60 Hz
t = 16.7 ms
tp = 10ms
Repetitive F = 100Hz
tp = 20µs
Tj = 125°C
Tj = 125°C
Value
4
35
38
6
50
Unit
A
A
A2s
A/µs
4
0.5
-40 to +150
-40 to +125
A
W
°C
March 2002 - Ed: 1A
1/5




BTB04-600SL pdf, 반도체, 판매, 대치품
BTB04-600SL
Fig. 5: Surge peak on-state current versus number
of cycles.
ITSM(A)
40
35
Non repetitive
30 Tj initial=25°C
25
20
Repetitive
15 Tc=110°C
10
5
Number of cycles
0
1 10 100
t=20ms
1000
Fig. 6: Non repetitive surge peak on-state current
for a sinusoidal pulse with width tp < 10ms, and
corresponding value of I2t.
ITSM(A), I2t (A2s)
1000
Tj initial=25°C
100
dI/dt limitation:
50A/µs
ITSM
10
1
0.01
tp(ms)
0.10 1.00
I²t
10.00
Fig. 7: Relative variation of gate trigger current,
holding current and latching current versus junc-
tion temperature (typical values).
IGT, IH, IL[Tj] / IGT, IH, IL [Tj = 25°C]
3.0
2.5
2.0
IGT
1.5
1.0 IH & IL
0.5
Tj(°C)
0.0
-40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130
Fig. 8: Relative variation of critical rate of decrease
of main current versus reapplied dV/dt (typical val-
ues).
(dI/dt)c [(dV/dt)c] / Specified (dI/dt)c
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.1
dV/dt (V/µs)
1.0
10.0
100.0
Fig. 9: Relative variation of critical rate of decrease
of main current versus junction temperature.
Fig. 10: Relative variation of static dV/dt immunity
versus junction temperature.
(dI/dt)c [Tj] / (dI/dt)c [Tj = 125°C]
8
7
6
5
4
3
2
1 Tj(°C)
0
25 50 75
100
dV/dt [Tj] / dV/dt [Tj = 125°C]
8
7
6
5
4
3
2
1
0
125 25
Tj(°C)
50 75
VD=VR=400V
100 125
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