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IPB80N06S2-07 데이터시트 PDF




Infineon Technologies에서 제조한 전자 부품 IPB80N06S2-07은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IPB80N06S2-07 자료 제공

부품번호 IPB80N06S2-07 기능
기능 Power-Transistor
제조업체 Infineon Technologies
로고 Infineon Technologies 로고


IPB80N06S2-07 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IPB80N06S2-07 데이터시트, 핀배열, 회로
OptiMOS® Power-Transistor
Features
• N-channel - Enhancement mode
• Automotive AEC Q101 qualified
• MSL1 up to 260°C peak reflow
• 175°C operating temperature
Green package (lead free)
PG-TO263-3-2
• Ultra low Rds(on)
• 100% Avalanche tested
IPB80N06S2-07
IPP80N06S2-07, IPI80N06S2-07
Product Summary
V DS
R DS(on),max (SMD version)
ID
55 V
6.3 m
80 A
PG-TO220-3-1
PG-TO262-3-1
Type
IPB80N06S2-07
IPP80N06S2-07
IPI80N06S2-07
Package
PG-TO263-3-2
PG-TO220-3-1
PG-TO262-3-1
Ordering Code Marking
SP0002-18818 2N0607
SP0002-18810 2N0607
SP0002-18817 2N0607
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Continuous drain current1)
I D T C=25 °C, V GS=10 V
T C=100 °C,
V GS=10 V2)
Pulsed drain current2)
I D,pulse T C=25 °C
Avalanche energy, single pulse2) E AS I D= 80 A
Gate source voltage4)
V GS
Power dissipation
P tot T C=25 °C
Operating and storage temperature T j, T stg
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Value
80
80
320
530
±20
250
-55 ... +175
55/175/56
Unit
A
mJ
V
W
°C




IPB80N06S2-07 pdf, 반도체, 판매, 대치품
1 Power dissipation
P tot = f(T C); V GS 6 V
IPB80N06S2-07
IPP80N06S2-07, IPI80N06S2-07
2 Drain current
I D = f(T C); V GS 10 V
300 100
250
80
200
60
150
40
100
20
50
0
0 50 100
T C [°C]
3 Safe operating area
I D = f(V DS); T C = 25 °C; D = 0
parameter: t p
1000
150
0
200 0 50 100 150
T C [°C]
4 Max. transient thermal impedance
Z thJC = f(t p)
parameter: D =t p/T
100
100
1 µs
10 µs
100 µs
1 ms
0.5
10-1 0.1
0.05
200
10 10-2 0.01
1
0.1
1 10
V DS [V]
single pulse
10-3
100 10-7 10-6 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100
t p [s]

4페이지










IPB80N06S2-07 전자부품, 판매, 대치품
13 Typical avalanche energy
E AS = f(T j)
parameter: I D
900
50 A
800
700 60 A
600
80 A
500
400
300
200
100
0
0 50 100 150
T j [°C]
15 Typ. drain-source breakdown voltage
V BR(DSS) = f(T j); I D = 1 mA
IPB80N06S2-07
IPP80N06S2-07, IPI80N06S2-07
14 Typ. gate charge
V GS = f(Q gate); I D = 80 A pulsed
12
10 11 V 44 V
8
6
4
2
0
200 0 20 40 60
Q gate [nC]
16 Gate charge waveforms
80 100
66
64
62
60
58
56
54
52
50
48
46
-60 -20 20
60 100 140 180
T j [°C]
V GS
Q gs
Qg
Q gd
Q gate

7페이지


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