Datasheet.kr   

MTB1D7N03E3 데이터시트 PDF




Cystech Electonics에서 제조한 전자 부품 MTB1D7N03E3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 MTB1D7N03E3 자료 제공

부품번호 MTB1D7N03E3 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
제조업체 Cystech Electonics
로고 Cystech Electonics 로고


MTB1D7N03E3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 8 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

MTB1D7N03E3 데이터시트, 핀배열, 회로
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C948E3
Issued Date : 2014.03.05
Revised Date :
Page No. : 1/8
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTB1D7N03E3 BVDSS
ID @VGS=10V
RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=30A
RDSON(TYP) @ VGS=4.5V, ID=20A
30V
203A
2mΩ
2.6mΩ
Features
Low Gate Charge
Simple Drive Requirement
Fast Switching Characteristic
RoHS compliant package
Symbol
MTB1D7N03E3
Outline
TO-220
GGate
DDrain
SSource
GDS
Ordering Information
Device
Package
Shipping
MTB1D7N03E3-0-UB-S
TO-220
(Pb-free lead plating package)
50 pcs/tube, 20 tubes/box, 4 boxes / carton
Environment friendly grade : S for RoHS compliant products, G for RoHS compliant and
green compound products
Packing spec, UB : 50 pcs / tube, 20 tubes/box
Product rank, zero for no rank products
Product name
MTB1D7N03E3
CYStek Product Specification




MTB1D7N03E3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C948E3
Issued Date : 2014.03.05
Revised Date :
Page No. : 4/8
Typical Characteristics
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
Typical Output Characteristics
4.5V
10V, 6V, 5V
VGS=4V
VGS=3.5V
VGS=3V
1 23 4
VDS, Drain-Source Voltage(V)
5
Brekdown Voltage vs Ambient Temperature
1.4
1.2
1
0.8
0.6 ID=250μA,
VGS=0V
0.4
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Tj, Junction Temperature(°C)
1000
Static Drain-Source On-State resistance vs Drain Current
Reverse Drain Current vs Source-Drain Voltage
1.2
100
VGS=4.5V
1
0.8
0.6
10
VGS=7V
VGS=10V
0.4
Tj=25°C
Tj=150°C
1
0.01
0.1 1 10
ID, Drain Current(A)
100
Static Drain-Source On-State Resistance vs Gate-Source
Voltage
100
90
80 ID=20A
70
60
50
40
30
20
10
0
0 2 4 6 8 10
VGS, Gate-Source Voltage(V)
0.2
0
4 8 12 16
IDR, Reverse Drain Current(A)
20
Drain-Source On-State Resistance vs Junction Tempearture
2.4
VGS=10V, ID=20A
2
1.6
1.2
0.8
RDS(ON)@Tj=25°C :2mΩ typ
0.4
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Tj, Junction Temperature(°C)
MTB1D7N03E3
CYStek Product Specification

4페이지










MTB1D7N03E3 전자부품, 판매, 대치품
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C948E3
Issued Date : 2014.03.05
Revised Date :
Page No. : 7/8
Recommended wave soldering condition
Product
Peak Temperature
Pb-free devices
260 +0/-5 °C
Soldering Time
5 +1/-1 seconds
Recommended temperature profile for IR reflow
Profile feature
Sn-Pb eutectic Assembly
Pb-free Assembly
Average ramp-up rate
(Tsmax to Tp)
3°C/second max.
3°C/second max.
Preheat
Temperature Min(TS min)
100°C
150°C
Temperature Max(TS max)
Time(ts min to ts max)
150°C
60-120 seconds
200°C
60-180 seconds
Time maintained above:
Temperature (TL)
Time (tL)
183°C
60-150 seconds
217°C
60-150 seconds
Peak Temperature(TP)
240 +0/-5 °C
260 +0/-5 °C
Time within 5°C of actual peak
temperature(tp)
10-30 seconds
20-40 seconds
Ramp down rate
6°C/second max.
6°C/second max.
Time 25 °C to peak temperature
6 minutes max.
8 minutes max.
Note : All temperatures refer to topside of the package, measured on the package body surface.
MTB1D7N03E3
CYStek Product Specification

7페이지


구       성 총 8 페이지수
다운로드[ MTB1D7N03E3.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
MTB1D7N03E3

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Cystech Electonics
Cystech Electonics

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵