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IXYH20N120C3 데이터시트 PDF




IXYS Corporation에서 제조한 전자 부품 IXYH20N120C3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IXYH20N120C3 자료 제공

부품번호 IXYH20N120C3 기능
기능 1200V XPT GenX3 IGBTs
제조업체 IXYS Corporation
로고 IXYS Corporation 로고


IXYH20N120C3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IXYH20N120C3 데이터시트, 핀배열, 회로
1200V XPTTM
GenX3TM IGBTs
High-Speed IGBT
for 20-50 kHz Switching
IXYA20N120C3HV
IXYP20N120C3
IXYH20N120C3
Symbol
VCES
VCGR
VGES
VGEM
IC25
IICCM110
IA
EAS
SSOA
(RBSOA)
PC
TJ
TJM
Tstg
TL
TSOLD
MFCd
Weight
Test Conditions
Maximum Ratings
TJ = 25°C to 175°C
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M
Continuous
Transient
1200
1200
±20
±30
V
V
V
V
TC = 25°C
TTCC
= 110°C
= 25°C, 1ms
TC = 25°C
TC = 25°C
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 10
Clamped Inductive Load
TC = 25°C
40
20
96
10
400
ICM = 40
@VCE VCES
278
-55 ... +175
175
-55 ... +175
A
A
A
A
mJ
A
W
°C
°C
°C
Maximum Lead Temperature for Soldering
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s
300 °C
260 °C
Mounting Torque (TO-220 & TO247)
Mounting Force (TO-263)
1.13/10
10..65 / 22..14.6
Nm/lb.in.
N/lb
TO-263
TO-220
TO-247
2.5 g
3.0 g
6.0 g
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)
BVCES
IC = 250A, VGE = 0V
VGE(th)
IC = 250A, VCE = VGE
ICES VCE = VCES, VGE = 0V
TJ = 150C
IGES VCE = 0V, VGE = 20V
VCE(sat)
IC = 20A, VGE = 15V, Note 1
TJ = 150C
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
1200
V
3.0 5.0 V
15 A
500 μA
100 nA
3.4 V
4.0 V
VCES = 1200V
IC110 = 20A
VCE(sat)  3.4V
tfi(typ) = 108ns
TO-263HV (IXYA)
G
E
C (Tab)
TO-220 (IXYP)
GC E
Tab
TO-247 AD (IXYH)
G
CE
G = Gate
E = Emitter
Tab
C = Collector
Tab = Collector
Features
High Voltage Package
Optimized for Low Switching Losses
Square RBSOA
Positive Thermal Coefficient of
Vce(sat)
Avalanche Rated
International Standard Packages
Advantages
High Power Density
Low Gate Drive Requirement
Applications
High Frequency Power Inverters
UPS
Motor Drives
SMPS
PFC Circuits
Battery Chargers
Welding Machines
Lamp Ballasts
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100484B(02/13)




IXYH20N120C3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
Fig. 7. Transconductance
TJ = - 40ºC
25ºC
150ºC
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
IC - Amperes
10,000
f = 1 MHz
Fig. 9. Capacitance
IXYA20N120C3HV IXYP20N120C3
IXYH20N120C3
16
14 VCE = 600V
IC = 20A
12 IG = 10mA
Fig. 8. Gate Charge
10
8
6
4
2
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
QG - NanoCoulombs
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
40
1,000
100
10
0
1
Cies
30
Coes
Cres
5 10 15 20 25 30 35 40
VCE - Volts
20
10
0
200
TJ = 150ºC
RG = 10
dv / dt < 10V / ns
400
600 800
VCE - Volts
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
1000
1200
0.1
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

4페이지












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