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BUK9Y22-30B 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BUK9Y22-30B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BUK9Y22-30B 자료 제공

부품번호 BUK9Y22-30B 기능
기능 N-channel TrenchMOS logic level FET
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BUK9Y22-30B 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BUK9Y22-30B 데이터시트, 핀배열, 회로
BUK9Y22-30B
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev. 04 — 7 April 2010
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic
package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to
the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.
1.2 Features and benefits
„ Low conduction losses due to low
on-state resistance
„ Q101 compliant
„ Suitable for logic level gate drive
sources
„ Suitable for thermally demanding
environments due to 175 °C rating
1.3 Applications
„ 12 V loads
„ Automotive systems
„ General purpose power switching
„ Motors, lamps and solenoids
1.4 Quick reference data
Table 1. Quick reference data
Symbol Parameter
Conditions
VDS
drain-source
Tj 25 °C; Tj 175 °C
voltage
ID
drain current
VGS = 5 V; Tmb = 25 °C;
see Figure 1; see Figure 4
Ptot
total power
Tmb = 25 °C; see Figure 2
dissipation
Static characteristics
RDSon
drain-source
on-state
resistance
VGS = 5 V; ID = 20 A;
Tj = 25 °C; see Figure 12;
see Figure 13
VGS = 10 V; ID = 20 A;
Tj = 25 °C
Min Typ Max Unit
- - 30 V
- - 37.7 A
- - 59.4 W
- 17 22 m
- 13.5 19 m




BUK9Y22-30B pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BUK9Y22-30B
N-channel TrenchMOS logic level FET
003aac517
40
ID
(A)
30
20
10
0
0 50 100 150 200
Tmb (°C)
120
Pder
(%)
80
003aab844
40
0
0 50 100 150 200
Tmb (°C)
Fig 1. Continuous drain current as a function of
mounting base temperature
102
IAL
(A)
10
Fig 2. Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature
003aac496
(1)
(2)
1
(3)
10-1
10-3
10-2
10-1
1 10
tAL (ms)
Fig 3. Single-pulse and repetitive avalanche rating; avalanche current as a function of avalanche time
BUK9Y22-30B
Product data sheet
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Rev. 04 — 7 April 2010
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BUK9Y22-30B 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BUK9Y22-30B
N-channel TrenchMOS logic level FET
120
ID
(A)
VGS (V) = 15
10
80
40
0
0246
003aac961
5
4
3.6
3.4
3
2.6
2.2
8 10
VDS (V)
120
RDSon
(mΩ)
3
2.6
3.6
3.4
4
80
5
003aac965
40
0
0
10
VGS (V) = 15
40 80 120
ID (A)
Fig 6. Output characteristics: drain current as a
Fig 7. Drain-source on-state resistance as a function
function of drain-source voltage; typical values.
of drain current; typical values.
30
gfs
(S)
20
003aac966
20
ID
(A)
15
003aac962
10
10 Tj = 175 °C
5
Tj = 25 °C
0
0 10 20 30
ID (A)
0
01234
VGS (V)
Fig 8. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values.
Fig 9. Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
BUK9Y22-30B
Product data sheet
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