Datasheet.kr   

BUK761R8-30C 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BUK761R8-30C은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BUK761R8-30C 자료 제공

부품번호 BUK761R8-30C 기능
기능 N-channel TrenchMOS standard level FET
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BUK761R8-30C 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 15 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

BUK761R8-30C 데이터시트, 핀배열, 회로
BUK761R8-30C
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev. 02 — 20 August 2007
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
N-channel enhancement mode power Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package,
using NXP Ultra High-Performance (UHP) automotive TrenchMOS technology.
1.2 Features
„ 175 °C rated
„ Standard level compatible
„ Q101 compliant
„ TrenchMOS technology
1.3 Applications
„ 12 V loads
„ General purpose power switching
„ Automotive systems
„ Motors, lamps and solenoids
1.4 Quick reference data
Table 1. Quick reference
Symbol Parameter
Conditions
Min Typ Max Unit
ID drain current
VGS = 10 V; Tmb = 25 °C;
see Figure 1 and 4
[1][2] - - 100 A
Ptot total power dissipation Tmb = 25 °C; see Figure 2
Static characteristics
- - 333 W
RDSon
drain-source on-state
resistance
VGS = 10 V; ID = 25 A;
Tj = 25 °C; see Figure 12 and
13
- 1.5 1.8 mΩ
Avalanche ruggedness
EDS(AL)S non-repetitive
ID = 100 A; Vsup 30 V;
drain-source avalanche RGS = 50 Ω; VGS = 10 V;
energy
Tj(init) = 25 °C
- - 1.7 J
[1] Refer to document 9397 750 12572 for further information.
[2] Continuous current is limited by package.




BUK761R8-30C pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BUK761R8-30C
N-channel TrenchMOS standard level FET
103 003aab373
IAL
(A)
102 (1)
(2)
10
(3)
1
10-3
10-2
10-1
1 tAL (ms) 10
(1) Singleípulse; Tmb = 25 °C.
(2) Singleípulse; Tmb = 150 °C.
(3) Repetitive.
Fig 3. Single-pulse and repetitive avalanche rating; avalanche current as a function of avalanche time
104
ID
(A)
Limit RDSon = VDS / ID
103
003aab339
tp = 10 μs
102
(1)
100 μs
10
1
10-1
DC 1 ms
10 ms
100 ms
1
10
VDS (V)
102
Tmb = 25 °C; IDM is single pulse
(1) Capped at 100 A due to package.
Fig 4. Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage
BUK761R8-30C_2
Product data sheet
Rev. 02 — 20 August 2007
© NXP B.V. 2007. All rights reserved.
4 of 15

4페이지










BUK761R8-30C 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BUK761R8-30C
N-channel TrenchMOS standard level FET
Table 6.
Symbol
tf
LD
LS
Characteristics …continued
Parameter
Conditions
fall time
internal drain
inductance
VDS = 25 V; RL = 1.2 Ω;
VGS = 10 V; RG(ext) = 10 Ω
from upper edge of drain
mounting base to center of die
internal source
inductance
from source lead to source
bonding pad
Min Typ Max Unit
- 134 - ns
- 2.5 - nH
- 7.5 - nH
300
ID 20
(A)
7
6
200
003aab341
5.5
VGS (V) = 5
100
4.5
4
0
0 2 4 6 8 VDS (V)10
T j = 25 °C
8
RDSon
(mΩ)
6
VGS (V) = 5
003aab361
5.5
4
2
0
0 100
T j = 25 °C
7
15 20
200 ID (A) 300
Fig 6. Output characteristics: drain current as a
Fig 7. Drain-source on-state resistance as a function
function of drain-source voltage; typical values
of drain current; typical values
BUK761R8-30C_2
Product data sheet
Rev. 02 — 20 August 2007
© NXP B.V. 2007. All rights reserved.
7 of 15

7페이지


구       성 총 15 페이지수
다운로드[ BUK761R8-30C.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
BUK761R8-30C

N-channel TrenchMOS standard level FET

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵