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PMZB350UPE 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 PMZB350UPE은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 PMZB350UPE 자료 제공

부품번호 PMZB350UPE 기능
기능 single P-channel Trench MOSFET
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


PMZB350UPE 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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PMZB350UPE 데이터시트, 핀배열, 회로
PMZB350UPE
20 V, single P-channel Trench MOSFET
1 August 2012
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small
DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench
MOSFET technology.
1.2 Features and benefits
Low threshold voltage
Very fast switching
Trench MOSFET technology
1.8 kV ESD protected
1.3 Applications
Relay driver
High-speed line driver
High-side loadswitch
Switching circuits
1.4 Quick reference data
Table 1. Quick reference data
Symbol
Parameter
Conditions
Min Typ Max Unit
VDS drain-source voltage Tj = 25 °C
- - -20 V
VGS gate-source voltage
-8 -
8V
ID
drain current
VGS = -4.5 V; Tamb = 25 °C; t ≤ 5 s [1] - - -1.4 A
Static characteristics
RDSon
drain-source on-state VGS = -4.5 V; ID = -0.3 A; Tj = 25 °C
resistance
- 330 450 mΩ
[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, mounting pad for
drain 1 cm2.
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PMZB350UPE pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
120
Pder
(%)
80
017aaa123
PMZB350UPE
20 V, single P-channel Trench MOSFET
120
Ider
(%)
80
017aaa124
40 40
0
- 75
- 25
25
75 125 175
Tj (°C)
Fig. 2. Normalized total power dissipation as a
function of junction temperature
0
- 75 - 25
25
75 125 175
Tj (°C)
Fig. 3. Normalized continuous drain current as a
function of junction temperature
-10
ID
(A)
Limit RDSon = VDS/ID
017aaa715
-1
tp = 1 ms
-10-1
DC; Tsp = 25 °C
tp = 10 ms
tp = 100 ms
DC; Tamb = 25 °C;
drain mounting pad 1 cm2
-10-2
0
IDM = single pulse
-1
-10 -102
VDS (V)
Fig. 4. Safe operating area; junction to ambient; continuous and peak drain currents as a function of drain-
source voltage
6. Thermal characteristics
Table 6.
Symbol
Rth(j-a)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance
from junction to
ambient
Conditions
in free air
Min Typ Max Unit
[1] -
304 350 K/W
[2] -
150 175 K/W
[3] -
90 103 K/W
PMZB350UPE
Product data sheet
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1 August 2012
© NXP B.V. 2012. All rights reserved
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PMZB350UPE 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
-3
ID
(A)
-8 V
-4.5 V
-2
-1
-3 V
-2.5 V
017aaa716
VGS = -2.2 V
-1.8 V
-1.4 V
PMZB350UPE
20 V, single P-channel Trench MOSFET
-10 - 3
017aaa143
ID
(A)
-10 - 4
(1) (2) (3)
-10 - 5
0
0 -1 -2 -3 -4
VDS (V)
Tj = 25 °C
Fig. 7. Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values
-10 - 6
-0.2 -0.4 -0.6
Tj = 25 °C; VDS = -3 V
(1) minimum values
(2) typical values
(3) maximum values
-0.8 -1.0
VGS (V)
Fig. 8. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage
1200
-1.4 V
-1.8 V
017aaa717
-2.2 V
1200
017aaa718
RDSon
(mΩ)
RDSon
(mΩ)
800 800
-2.5 V
-3 V Tj = 150 °C
400
-4.5 V
400
-8 V Tj = 25 °C
0
0 -1
Tj = 25 °C
-2 -3
ID (A)
Fig. 9. Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values
0
0 -2
ID = -0.2 A
-4 -6
VGS (V)
Fig. 10. Drain-source on-state resistance as a function
of gate-source voltage; typical values
PMZB350UPE
Product data sheet
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1 August 2012
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