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C2873 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 C2873은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 C2873 자료 제공

부품번호 C2873 기능
기능 NPN Transistor - 2SC2873
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


C2873 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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C2873 데이터시트, 핀배열, 회로
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC2873
Power Amplifier Applications
Power Switching Applications
2SC2873
Unit: mm
Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A)
High-speed switching time: tstg = 1.0 μs (typ.)
Small flat package
PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on a ceramic substrate)
Complementary to 2SA1213
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PC
PC
(Note 1)
Tj
Tstg
50
50
5
2
0.4
500
1000
150
55 to 150
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
SC-62
TOSHIBA
2-5K1A
Weight: 0.05 g (typ.)
Note 1: Mounted on a ceramic substrate (250 mm2 × 0.8 t)
Note 2:
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute
maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
1 2012-10-16




C2873 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IC – VBE
2.0
Common emitter
VCE = 2 V
1.5
Ta = 100°C
25 55
1.0
0.5
0
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Base-emitter voltage VBE (V)
1.2
(1)
1.0
0.8
PC – Ta
(1) Mounted on a ceramic
substrate (250 mm2 × 0.8 t)
(2) No heat sink
0.6
(2)
0.4
0.2
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient temperature Ta (°C)
2SC2873
5000
3000
Safe Operating Area
IC max (pulse)*
IC max (continuous)
1000
500
300
100
100 ms*
1 S*
DC operation
Ta = 25°C
1 ms*
10 ms*
50
*: Single no repetitive pulse
30 Ta = 25°C
Curves must be derated linearly
10
5
0.1
with increase in temperature
Tested without a substrate
0.3 1
3
VCEO max
10 30
Collector-emitter voltage VCE (V)
100
4 2012-10-16

4페이지












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