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BUK953R2-40B 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BUK953R2-40B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BUK953R2-40B 자료 제공

부품번호 BUK953R2-40B 기능
기능 N-channel TrenchMOS logic level FET
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BUK953R2-40B 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BUK953R2-40B 데이터시트, 핀배열, 회로
BUK953R2-40B
N-channel TrenchMOS logic level FET
17 April 2014
Product data sheet
1. General description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic
package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to
the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.
2. Features and benefits
AEC Q101 compliant
Low conduction losses due to low on-state resistance
Suitable for logic level gate drive sources
Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating
3. Applications
12 V loads
Automotive systems
General purpose power switching
Motors, lamps and solenoids
4. Quick reference data
Table 1. Quick reference data
Symbol
Parameter
Conditions
VDS drain-source voltage Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C
ID
drain current
VGS = 5 V; Tmb = 25 °C; Fig. 2; Fig. 3
Ptot total power dissipation Tmb = 25 °C; Fig. 1
Static characteristics
RDSon
drain-source on-state
resistance
VGS = 10 V; ID = 25 A; Tj = 25 °C
VGS = 5 V; ID = 25 A; Tj = 25 °C;
Fig. 11; Fig. 12
Dynamic characteristics
QGD
gate-drain charge
VGS = 5 V; ID = 25 A; VDS = 32 V;
Tj = 25 °C; Fig. 13
[1]
Min Typ Max Unit
- - 40 V
- - 100 A
- - 300 W
- 2.4 2.8 mΩ
- 2.7 3.2 mΩ
- 37 - nC
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BUK953R2-40B pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
120
Pder
(%)
80
03na19
40
0
0 50 100 150 200
Tmb (°C)
Fig. 1. Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature
BUK953R2-40B
N-channel TrenchMOS logic level FET
250
ID
(A)
200
03nh38
150
100
50 Capped at 100 A due to package
0
0 50 100 150 200
Tmb (°C)
Fig. 2. Continuous drain current as a function of
mounting base temperature
104
ID
(A)
103
102
10
Limit RDSon = VDS / ID
Capped at 100 A due to package
DC
03nh36
tp = 10 µs
100 µs
1 ms
10 ms
100 ms
1
10- 1
1
10
VDS (V)
102
Fig. 3. Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage
BUK953R2-40B
Product data sheet
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
17 April 2014
© NXP Semiconductors N.V. 2014. All rights reserved
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BUK953R2-40B 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BUK953R2-40B
N-channel TrenchMOS logic level FET
350
ID
(A)
10
5
280
4
3.8
3.6
210 3.4
03nh56
Label is VGS (V)
5
RDSon
(mΩ)
4
03nh55
3.2
140
3
3
2.8
70
2.6
2.4
0 2.2
0 2 4 6 8 10
VDS (V)
2
3 7 11 15
VGS (V)
Fig. 5. Output characteristics: drain current as a
Fig. 6. Drain-source on-state resistance as a function
function of drain-source voltage; typical values
of gate-source voltage; typical values
10- 1
ID
(A)
10- 2
10- 3
10- 4
10- 5
03ng53
min typ max
200
gfs
(S)
150
100
50
03nh53
10- 6
0123
VGS (V)
Fig. 7. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage
0
0 20 40 60
ID (A)
Fig. 8. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values
BUK953R2-40B
Product data sheet
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