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BUK9614-55A 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BUK9614-55A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BUK9614-55A 자료 제공

부품번호 BUK9614-55A 기능
기능 N-channel TrenchMOS logic level FET
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BUK9614-55A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BUK9614-55A 데이터시트, 핀배열, 회로
BUK9614-55A
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev. 02 — 7 February 2011
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic
package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to
the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.
1.2 Features and benefits
„ AEC Q101 compliant
„ Low conduction losses due to low
on-state resistance
„ Suitable for logic level gate drive
sources
„ Suitable for thermally demanding
environments due to 175 °C rating
1.3 Applications
„ 12 V and 24 V loads
„ Automotive and general purpose
power switching
„ Motors, lamps and solenoids
1.4 Quick reference data
Table 1. Quick reference data
Symbol Parameter
Conditions
VDS drain-source voltage Tj 25 °C; Tj 175 °C
ID
drain current
VGS = 5 V; Tmb = 25 °C;
see Figure 1; see Figure 3
Ptot total power
dissipation
Tmb = 25 °C; see Figure 2
Static characteristics
RDSon
drain-source on-state VGS = 5 V; ID = 25 A; Tj = 25 °C;
resistance
see Figure 12; see Figure 13
Avalanche ruggedness
VGS = 4.5 V; ID = 25 A;
Tj = 25 °C
VGS = 10 V; ID = 25 A;
Tj = 25 °C
EDS(AL)S
non-repetitive
drain-source
avalanche energy
ID = 73 A; Vsup 55 V;
RGS = 50 ; VGS = 5 V;
Tj(init) = 25 °C; unclamped
Min Typ Max Unit
- - 55 V
- - 73 A
- - 149 W
- 12 14 m
- - 15 m
- 11 13 m
- - 230 mJ




BUK9614-55A pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BUK9614-55A
N-channel TrenchMOS logic level FET
103
ID
(A)
102
RDSon = VDS / ID
10 P
δ = tp
T
D.C.
tp
T
1
1
t
10
03nd66
VDS (V)
tp = 10 μs
100 μs
1 ms
10 ms
100 ms
102
Fig 3. Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage
BUK9614-55A
Product data sheet
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BUK9614-55A 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BUK9614-55A
N-channel TrenchMOS logic level FET
300
ID
(A)
200
03nd63
VGS (V) = 10
9
8
7
6
5
4
100
3
0 2.2
0 2 4 6 8 10
VDS (V)
16
RDSon
(mΩ)
14
03nd62
12
10
8
2 4 6 8 10
VGS (V)
Fig 5. Output characteristics: drain current as a
Fig 6. Drain-source on-state resistance as a function
function of drain-source voltage; typical values
of gate-source voltage; typical values
10-1
ID
(A)
10-2
10-3
10-4
10-5
03aa36
min typ max
60
gfs
(S)
40
20
03nd60
10-6
0123
VGS (V)
0
0 20 40 60 80
ID (A)
Fig 7. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage
Fig 8. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values
BUK9614-55A
Product data sheet
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