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BUK7614-55A 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BUK7614-55A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BUK7614-55A 자료 제공

부품번호 BUK7614-55A 기능
기능 N-channel TrenchMOS standard level FET
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BUK7614-55A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BUK7614-55A 데이터시트, 핀배열, 회로
BUK7614-55A
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev. 2 — 26 April 2011
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic
package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to
the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.
1.2 Features and benefits
„ AEC Q101 compliant
„ Low conduction losses due to low
on-state resistance
1.3 Applications
„ Automotive and general purpose
power switching
1.4 Quick reference data
Table 1. Quick reference data
Symbol Parameter
VDS drain-source voltage
ID drain current
Ptot total power dissipation
Static characteristics
Conditions
Tj 25 °C; Tj 175 °C
Tmb = 25 °C
RDSon
drain-source on-state
resistance
Specify Name
VGS = 10 V; ID = 25 A;
Tj = 25 °C
EDS(AL)S
non-repetitive
ID = 50 A; Vsup 25 V;
drain-source avalanche RGS = 50 ; VGS = 5 V;
energy
Tj(init) = 25 °C; unclamped
Min Typ Max Unit
- - 55 V
- - 73 A
- - 166 W
- 12 14 m
- - 125 mJ




BUK7614-55A pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BUK7614-55A
N-channel TrenchMOS standard level FET
103
IDM RDS(on) = VDS / ID
(A)
102
10 D.C.
1
1 10
003aaf239
tp = 1 μs
10 μs
100 μs
1 ms
10 ms
100 ms
102 103
VDS (V)
120
WDSS
(%)
80
003aaf251
40
0
20 60 100 140 180
T(mb) (°C)
Fig 3. Safe operating area; continuous and peak drain
currents as a function of drain-source voltage
Fig 4. Normalised drain-source non-repetitive
avalanche energy as a function of
mounting-base temperature
5. Thermal characteristics
Table 5.
Symbol
Rth(j-mb)
Rth(j-a)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from
junction to mounting base
thermal resistance from
junction to ambient
Conditions
minimum footprint; FR4 board
Min Typ Max Unit
- - 0.9 K/W
- 50 - K/W
1
Zth(j-mb)
(K/W)
101
δ = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
102
003aaf240
P
tp
δ=
T
103
107
0
106
105
104
103
tp
T
102 101
t
1 10
tp (s)
Fig 5. Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration
BUK7614-55A
Product data sheet
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BUK7614-55A 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BUK7614-55A
N-channel TrenchMOS standard level FET
5
VGS(th)
(V)
4
maximum
003aaf247
101
ID
(A)
102
003aaf248
3 typical
2 minimum
103
104
2 % typical 98 %
1 105
0
100
0
100 200
Tj (°C)
ID = 1 mA; VDS = VGS
Fig 12. Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature
106
012345
VGS (V)
Tj = 25 °C; VDS = VGS
Fig 13. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage
4
C
(nF)
3
Ciss
Coss
2 Crss
1
003aaf249
10
VGS
(V)
8
6
4
2
VDS = 14 V
003aaf250
VDS = 44 V
0
102
101
1
10 102
VDS (V)
VGS = 0 V; f = 1 MHz
Fig 14. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values
0
0 10 20 30 40 50
QG (nC)
Tj = 25 °C; ID = 50 A
Fig 15. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values
BUK7614-55A
Product data sheet
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