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BUK7528-55A 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BUK7528-55A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BUK7528-55A 자료 제공

부품번호 BUK7528-55A 기능
기능 TrenchMOS stransistor Standard level FET
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BUK7528-55A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BUK7528-55A 데이터시트, 핀배열, 회로
BUK7528-55A
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev. 02 — 21 April 2011
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic
package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to
the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.
1.2 Features and benefits
„ AEC Q101 compliant
„ Low conduction losses due to low
on-state resistance
1.3 Applications
„ Automotive and general purpose
power switching
1.4 Quick reference data
Table 1. Quick reference data
Symbol Parameter
VDS drain-source voltage
ID drain current
Ptot total power dissipation
Static characteristics
RDSon
drain-source on-state
resistance
Avalanche ruggedness
EDS(AL)S
non-repetitive
drain-source avalanche
energy
Conditions
Tj 25 °C; Tj 175 °C
Tmb = 25 °C
VGS = 10 V; ID = 25 A;
Tj = 25 °C
ID = 34 A; Vsup 25 V;
RGS = 50 ; VGS = 5 V;
Tj(init) = 25 °C; unclamped
Min Typ Max Unit
- - 55 V
- - 42 A
- - 99 W
- 23.8 28 m
- - 58 mJ




BUK7528-55A pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BUK7528-55A
N-channel TrenchMOS standard level FET
5. Thermal characteristics
Table 5.
Symbol
Rth(j-mb)
Rth(j-a)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from junction to mounting
base
thermal resistance from junction to ambient
Conditions
in free air
Min Typ Max Unit
- - 1.5 K/W
- 60 - K/W
10
Zth(j-mb)
(K/W)
1 δ = 0.5
101
0.2
0.1
0.05
0.02
0
102
106
104
102
003aaf458
P
tp
δ=
T
tp
T
t
1 102 104
tp (s)
Fig 5. Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration
BUK7528-55A
Product data sheet
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BUK7528-55A 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BUK7528-55A
N-channel TrenchMOS standard level FET
16
gfs
(S)
12
003aaf463
2.5
a
2
003aaf464
8 1.5
41
0
0 20 40
VDS > ID x RDSon
60 80
ID (A)
0.5
100
0
100 200
Tmb (°C)
Fig 10. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values
ID = 25 A; VGS = 5 V
Fig 11. Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature
5
VGS(th)
(V)
4
3
2
maximum
typical
minimum
003aaf465
101
ID
(A)
102
103
104
003aaf466
2 % typical 98 %
1 105
0
100
0
100 200
Tj (°C)
ID = 1 mA; VDS = VGS
Fig 12. Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature
106
012345
VGS (V)
Tj = 25 °C; VDS = VGS
Fig 13. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage
BUK7528-55A
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