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15N03L 데이터시트 PDF



특징 및 기능

Infineon Technologies AG에서 제조한 전자 부품 15N03L은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.

15N03L의 기능 및 특징 중 하나는 "IPP15N03L" 입니다.

일반적으로, Infineon Technologies AG에서 제조되는 전자부품들은 우수한 성능과
품질에 대한 신뢰성을 갖추고 있습니다.



PDF 형식의 15N03L 자료 제공

부품번호 15N03L 기능
기능 IPP15N03L
제조업체 Infineon Technologies AG
로고 Infineon Technologies AG 로고


15N03L 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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15N03L 데이터시트, 핀배열, 회로
OptiMOS® Buck converter series
Feature
• N-Channel
• Logic Level
• Low On-Resistance RDS(on)
• Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)
• Superior thermal resistance
• 175°C operating temperature
• Avalanche rated
• dv/dt rated
• Ideal for fast switching buck converters
IPP15N03L
IPB15N03L
Product Summary
VDS
RDS(on) max. SMD version
ID
30
12.6
42
V
mΩ
A
P- TO263 -3-2
P- TO220 -3-1
Type
IPP15N03L
IPB15N03L
Package
Ordering Code
P- TO220 -3-1 Q67042-S4039
P- TO263 -3-2 Q67040-S4344
Marking
15N03L
15N03L
Maximum Ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous drain current1)
ID
TC=25°C
Pulsed drain current
TC=25°C
Avalanche energy, single pulse
ID=20A, VDD=25V, RGS=25Ω
Repetitive avalanche energy, limited by Tjmax2)
Reverse diode dv/dt
IS=42A, VDS=-V, di/dt=200A/µs, Tjmax=175°C
Gate source voltage
Power dissipation
TC=25°C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
ID puls
EAS
EAR
dv/dt
VGS
Ptot
Tj , Tstg
Value
42
42
168
20
8
6
±20
83
-55... +175
55/175/56
Unit
A
mJ
kV/µs
V
W
°C
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2003-01-17




15N03L pdf, 반도체, 판매, 대치품
1 Power dissipation
Ptot = f (TC)
IPP15N03L
100
W
2 Drain current
ID = f (TC)
parameter: VGS≥ 10 V
IPP15N03L
50
A
IPP15N03L
IPB15N03L
80
70
60
50
40
30
20
10
00 20 40 60 80 100 120 140 160 °C 190
TC
3 Safe operating area
ID = f ( VDS )
parameter : D = 0 , TC = 25 °C
10 3 IPP15N03L
A
10 2
tp = 8.8µs
10 µs
40
35
30
25
20
15
10
5
00 20 40 60 80 100 120 140 160 °C 190
TC
4 Max. transient thermal impedance
ZthJC = f (tp)
parameter : D = tp/T
10 1 IPP15N03L
K/W
10 0
10 -1
10 1
10
0
10
-1
10 0
100 µs
1 ms
10 ms
DC
10 -2
10 -3
single pulse
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10 1 V 10 2
VDS
10
-4
10
-7
10 -6
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
s 10 0
tp
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4페이지










15N03L 전자부품, 판매, 대치품
13 Typ. avalanche energy
EAS = f (Tj)
par.: ID = 20 A, VDD = 25 V, RGS = 25 Ω
20
mJ
16
14
12
10
8
6
4
2
025 45 65 85 105 125 145 °C 185
Tj
14 Typ. gate charge
VGS = f (QGate)
parameter: ID = 21 A pulsed
IPP15N03L
16
V
IPP15N03L
IPB15N03L
15 Drain-source breakdown voltage
V(BR)DSS = f (Tj)
parameter: ID=10 mA
IPP15N03L
36
V
34
33
32
31
30
29
28
27-60 -20 20 60 100 140 °C 200
Tj
12
10
0.2 VDS max
8 0.5 VDS max
0.8 VDS max
6
4
2
00 4 8 12 16 20 24 28 nC 34
QGate
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