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15N03L 데이터시트 PDF




Infineon Technologies AG에서 제조한 전자 부품 15N03L은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 15N03L 자료 제공

부품번호 15N03L 기능
기능 IPP15N03L
제조업체 Infineon Technologies AG
로고 Infineon Technologies AG 로고


15N03L 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 8 페이지수

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15N03L 데이터시트, 핀배열, 회로
OptiMOS® Buck converter series
Feature
N-Channel
Logic Level
Low On-Resistance RDS(on)
Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)
Superior thermal resistance
175°C operating temperature
Avalanche rated
dv/dt rated
Ideal for fast switching buck converters
IPP15N03L
IPB15N03L
Product Summary
VDS
RDS(on) max. SMD version
ID
30
12.6
42
V
m
A
P- TO263 -3-2
P- TO220 -3-1
Type
IPP15N03L
IPB15N03L
Package
Ordering Code
P- TO220 -3-1 Q67042-S4039
P- TO263 -3-2 Q67040-S4344
Marking
15N03L
15N03L
Maximum Ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous drain current1)
ID
TC=25°C
Pulsed drain current
TC=25°C
Avalanche energy, single pulse
ID=20A, VDD=25V, RGS=25
Repetitive avalanche energy, limited by Tjmax2)
Reverse diode dv/dt
IS=42A, VDS=-V, di/dt=200A/µs, Tjmax=175°C
Gate source voltage
Power dissipation
TC=25°C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
ID puls
EAS
EAR
dv/dt
VGS
Ptot
Tj , Tstg
Value
42
42
168
20
8
6
±20
83
-55... +175
55/175/56
Unit
A
mJ
kV/µs
V
W
°C
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2003-01-17




15N03L pdf, 반도체, 판매, 대치품
1 Power dissipation
Ptot = f (TC)
IPP15N03L
100
W
2 Drain current
ID = f (TC)
parameter: VGS10 V
IPP15N03L
50
A
IPP15N03L
IPB15N03L
80
70
60
50
40
30
20
10
00 20 40 60 80 100 120 140 160 °C 190
TC
3 Safe operating area
ID = f ( VDS )
parameter : D = 0 , TC = 25 °C
10 3 IPP15N03L
A
10 2
tp = 8.8µs
10 µs
40
35
30
25
20
15
10
5
00 20 40 60 80 100 120 140 160 °C 190
TC
4 Max. transient thermal impedance
ZthJC = f (tp)
parameter : D = tp/T
10 1 IPP15N03L
K/W
10 0
10 -1
10 1
10
0
10
-1
10 0
100 µs
1 ms
10 ms
DC
10 -2
10 -3
single pulse
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10 1 V 10 2
VDS
10
-4
10
-7
10 -6
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
s 10 0
tp
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2003-01-17

4페이지










15N03L 전자부품, 판매, 대치품
13 Typ. avalanche energy
EAS = f (Tj)
par.: ID = 20 A, VDD = 25 V, RGS = 25
20
mJ
16
14
12
10
8
6
4
2
025 45 65 85 105 125 145 °C 185
Tj
14 Typ. gate charge
VGS = f (QGate)
parameter: ID = 21 A pulsed
IPP15N03L
16
V
IPP15N03L
IPB15N03L
15 Drain-source breakdown voltage
V(BR)DSS = f (Tj)
parameter: ID=10 mA
IPP15N03L
36
V
34
33
32
31
30
29
28
27-60 -20 20 60 100 140 °C 200
Tj
12
10
0.2 VDS max
8 0.5 VDS max
0.8 VDS max
6
4
2
00 4 8 12 16 20 24 28 nC 34
QGate
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7페이지


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