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09N90E 데이터시트 PDF




Fuji Electric에서 제조한 전자 부품 09N90E은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 09N90E 자료 제공

부품번호 09N90E 기능
기능 FMH09N90E
제조업체 Fuji Electric
로고 Fuji Electric 로고


09N90E 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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09N90E 데이터시트, 핀배열, 회로
FMH09N90E
Super FAP-E3 series
FUJI POWER MOSFET
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
Features
Maintains both low power loss and low noise
Lower RDS(on) characteristic
More controllable switching dv/dt by gate resistance
Smaller VGS ringing waveform during switching
Narrow band of the gate threshold voltage (4.0±0.5V)
High avalanche durability
Applications
Switching regulators
UPS (Uninterruptible Power Supply)
DC-DC converters
Outline Drawings [mm]
TO-3P(Q)
Equivalent circuit schematic
Drain(D)
Gate(G)
Source(S)
Maximum Ratings and Characteristics
Absolute Maximum Ratings at Tc=25°C (unless otherwise specified)
Description
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
Gate-Source Voltage
Repetitive and Non-Repetitive Maximum AvalancheCurrent
Non-Repetitive Maximum Avalanche Energy
Repetitive Maximum Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dV/dt
Peak Diode Recovery -di/dt
Symbol
VDS
VDSX
ID
IDP
VGS
IAR
EAS
EAR
dV/dt
-di/dt
Maximum Power Dissipation
PD
Operating and Storage Temperature range
Tch
Tstg
Characteristics
900
900
±9
±36
±30
9
565.3
20.5
2.1
100
2.5
205
150
-55 to + 150
Unit
V
V
A
A
V
A
mJ
mJ
kV/µs
A/µs
W
°C
°C
Remarks
VGS = -30V
Note*1
Note*2
Note*3
Note*4
Note*5
Ta=25°C
Tc=25°C
Electrical Characteristics at Tc=25°C (unless otherwise specified)
Description
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage Current
Drain-Source On-State Resistance
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Time
Turn-Off Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Gate-Drain Crossover Charge
Avalanche Capability
Diode Forward On-Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Symbol
BVDSS
VGS (th)
IDSS
IGSS
RDS (on)
gfs
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
QG
QGS
QGD
QSW
IAV
VSD
trr
Qrr
Conditions
ID=250µA, VGS=0V
ID=250µA, VDS=VGS
VDS=900V, VGS=0V
VDS=720V, VGS=0V
VGS=±30V, VDS=0V
ID=4.5A, VGS=10V
ID=4.5A, VDS=25V
VDS=25V
VGS = 0V
f=1MHz
Vcc = 60 0V
VGS=10V
ID=4.5A
RG=24Ω
Vcc = 450V
ID=9A
VGS=10V
L=5.12mH, Tch=25°C
IF=9A, VGS=0V, Tch=25°C
IF=9A, VGS=0V
-di/dt=100A/µs, Tch=25°C
Tch=25°C
Tch=125°C
min.
900
3.5
-
-
-
-
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9
-
-
-
typ.
-
4.0
-
-
10
1.16
10
1700
150
11
35
30
110
30
50
15
16
6
-
0.90
1.8
15
Thermal Characteristics
Description
Thermal resistance
Symbol
Rth (ch-c)
Rth (ch-a)
Test Conditions
Channel to case
Channel to ambient
min.
typ.
Note *1 : Tch≤150°C
Note *2 : Stating Tch=25°C, IAS=3.6A, L=80.0mH, Vcc=90V, RG=10Ω
EAS limited by maximum channel temperature and avalanche current.
See to 'Avalanche current' graph.
Note *3 : Repetitive rating : Pulse width limited by maximum channel temperature.
See to the 'Transient Themal impeadance' graph.
Note *4 : IF≤-ID, -di/dt=100A/µs, Vcc≤BVDSS, Tch≤150°C.
Note *5 : IF≤-ID, dv/dt=2.1kV/µs, Vcc≤BVDSS, Tch≤150°C.
max.
-
4.5
25
250
100
1.4
-
2550
225
17
53
45
165
45
75
23
24
9
-
1.35
-
-
max.
0.610
50.0
Unit
V
V
µA
nA
S
pF
ns
nC
A
V
µS
µC
Unit
°C/W
°C/W
1




09N90E pdf, 반도체, 판매, 대치품
FMH09N90E
FUJI POWER MOSFET
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch
E(AV)=f(starting Tch):Vcc=90V,I(AV)<=9A
600
IAS=3.6A
500
400 IAS=5.4A
300
IAS=9.0A
200
100
Maximum Transient Thermal Impedance
Zth(ch-c)=f(t):D=0
101
100
10-1
10-2
10-3
10-6 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100
t [sec]
0
0 25 50 75 100 125 150
starting Tch [°C]
4

4페이지












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