|
|
|
부품번호 | IXGQ90N33TC 기능 |
|
|
기능 | IGBTs | ||
제조업체 | IXYS Corporation | ||
로고 | |||
전체 5 페이지수
Trench Gate,
High Speed,
IGBTs
For PDP Applications
IXGA90N33TC
IXGQ90N33TC
IXGQ90N33TCD1
IVCCPES
VCE(sat)
=
=
≤
330V
360A
1.80V
90N33TC 90N33TCD1
Symbol
VCES
VGES
VGEM
IC25
IC(RMS)
IICC1P10
ICP
PC
TJ
TJM
Tstg
TL
TSOLD
Md
Weight
Test Conditions
TJ = 25°C to 150°C
Continuous
Transient
TLeC=ad25C°uCrr(eCnht iLpimCiat pability)
TTCC
= 110°C
< 150°C, tp < 10μs
TC < 150°C, tp < 10μs, Duty cycle < 1%
TC = 25°C
Maximum Lead Temperature for Soldering
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s
Mounting Torque (TO-3P)
TO-263
TO-3P
Maximum Ratings
330
±20
±30
90
75
38
60
360
V
V
V
A
A
A
A
A
200
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
1.13/10
2.5
5.5
W
°C
°C
°C
°C
°C
Nm/lb.in.
g
g
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified
BVCES
IC = 250μA, VGE = 0V
VGE(th)
IC = 250μA, VCE = VGE
ICES VCE = VCES, VGE = 0V
TJ = 125°C
IGES VCE = 0V, VGE = ±20V
VCE(sat)
VGE = 15V, IC = 20A, Note 1
IC = 45A
TJ = 125°C
IC = 90A
TJ = 125°C
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
330 V
3.0 5.0 V
1 μA
200 μA
±200 nA
1.54
1.54
1.82
1.95
1.40 V
1.80 V
V
V
V
TO-263 AA (IXGA)
G
E
C (Tab)
TO-3P (IXGQ)
G
C
E
G = Gate
E = Emitter
C (Tab)
C = Collector
Tab = Collector
Features
• Low VCE(sat)
- for minimum On-State Conduction
Losses
• Fast Switching
Applications
• PDP Screen Drivers
© 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99754B (07/11)
IXGQ90N33TCD1 IXGA90N33TC
IXGQ90N33TC
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
Fig. 7. Transconductance
TJ = - 40ºC
25ºC
125ºC
20 40 60 80 100 120 140
IC - Amperes
Fig. 8. Gate Charge
16
14 VCE = 165V
I C = 45A
12 I G = 10 mA
10
8
6
4
2
0
0 10 20 30 40 50 60 70
QG - NanoCoulombs
Fig. 9. Reverse-Bias Safe Operating Area
100
90
80
70
60
50
40
30
TJ = 150ºC
20 RG = 20Ω
10 dV / dT < 10V / ns
0
50
100 150 200 250 300 350
VCE - Volts
1000
Fig. 11. Forward-Bias Safe Operating Area
VCE(sat) Limit
10,000
f = 1 MHz
1,000
Fig. 10. Capacitance
Cies
100
10
0
1.00
Coes
Cres
5 10 15 20 25 30 35
VCE - Volts
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
40
100
1µs
10µs
0.10
10
TJ = 150ºC
TC = 25ºC
Single Pulse
100µs
1ms
1
1
10
100
1000
IXYS Reserves the Right to ChanVgCeE L-iVmoitlsts, Test Conditions, and Dimensions.
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
Pulse Width - Seconds
1
10
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
다운로드 | [ IXGQ90N33TC.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
IXGQ90N33TC | IGBTs | IXYS Corporation |
IXGQ90N33TCD1 | IGBTs | IXYS Corporation |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |