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K2929 데이터시트 PDF




Hitachi Semiconductor에서 제조한 전자 부품 K2929은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 K2929 자료 제공

부품번호 K2929 기능
기능 MOSFET ( Transistor ) - 2SK2929
제조업체 Hitachi Semiconductor
로고 Hitachi Semiconductor 로고


K2929 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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K2929 데이터시트, 핀배열, 회로
2SK2929
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
Low on-resistance
RDS =0.026 typ.
High speed switching
4V gate drive device can be driven from 5V source
Outline
TO–220AB
ADE-208-552C (Z)
4th. Edition
Jun 1998
D
G
S
1
2
3
1. Gate
2. Drain(Flange
3. Source




K2929 pdf, 반도체, 판매, 대치품
2SK2929
Main Characteristics
Power vs. Temperature Derating
80
60
40
20
0 50 100 150 200
Case Temperature Tc (°C)
Maximum Safe Operation Area
200
100
50
100
10
µs
µs
20
10
5
2
Operation in
this area is
DC
Operation
(Tc
1 ms
= 25°C)
1 limited by R DS(on)
0.5
Ta = 25 °C
0.2
0.1 0.3 1 3 10
Drain to Source Voltage V
30
DS(V)
100
Typical Output Characteristics
50
10 V 6 V
5V
40 Pulse Test
30 4.5 V
4V
20
3.5 V
10 VGS = 3 V
0 2 4 6 8 10
Drain to Source Voltage V DS(V)
Typical Transfer Characteristics
20
VDS = 10 V
16 Pulse Test
12
8
Tc = 75°C
4
25°C
–25°C
0 1 23 45
Gate to Source Voltage V G(SV)
4

4페이지










K2929 전자부품, 판매, 대치품
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
20
Pulse Test
16
12 10 V 5 V
8
VGS = 0, –5 V
4
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
2SK2929
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
40
I AP = 20 A
32
VDD = 25 V
duty < 0.1 %
Rg > 50 W
24
16
8
0
25 50 75 100 125 150
Channel Temperature Tch (°C)
Vin
15 V
Avalanche Test Circuit
V DS
Monitor
Rg
50 W
L
I AP
Monitor
D. U. T
VDD
Avalanche Waveform
EAR =
1
2
• L • I AP2
VDSS
VDSS – V DD
I AP
ID
V(BR)DSS
VDS
VDD
0
7

7페이지


구       성 총 10 페이지수
다운로드[ K2929.PDF 데이터시트 ]

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