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부품번호 | K2929 기능 |
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기능 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2929 | ||
제조업체 | Hitachi Semiconductor | ||
로고 | |||
2SK2929
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance
RDS =0.026 Ω typ.
• High speed switching
• 4V gate drive device can be driven from 5V source
Outline
TO–220AB
ADE-208-552C (Z)
4th. Edition
Jun 1998
D
G
S
1
2
3
1. Gate
2. Drain(Flange
3. Source
2SK2929
Main Characteristics
Power vs. Temperature Derating
80
60
40
20
0 50 100 150 200
Case Temperature Tc (°C)
Maximum Safe Operation Area
200
100
50
100
10
µs
µs
20
10
5
2
Operation in
this area is
DC
Operation
(Tc
1 ms
= 25°C)
1 limited by R DS(on)
0.5
Ta = 25 °C
0.2
0.1 0.3 1 3 10
Drain to Source Voltage V
30
DS(V)
100
Typical Output Characteristics
50
10 V 6 V
5V
40 Pulse Test
30 4.5 V
4V
20
3.5 V
10 VGS = 3 V
0 2 4 6 8 10
Drain to Source Voltage V DS(V)
Typical Transfer Characteristics
20
VDS = 10 V
16 Pulse Test
12
8
Tc = 75°C
4
25°C
–25°C
0 1 23 45
Gate to Source Voltage V G(SV)
4
4페이지 Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
20
Pulse Test
16
12 10 V 5 V
8
VGS = 0, –5 V
4
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
2SK2929
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
40
I AP = 20 A
32
VDD = 25 V
duty < 0.1 %
Rg > 50 W
24
16
8
0
25 50 75 100 125 150
Channel Temperature Tch (°C)
Vin
15 V
Avalanche Test Circuit
V DS
Monitor
Rg
50 W
L
I AP
Monitor
D. U. T
VDD
Avalanche Waveform
EAR =
1
2
• L • I AP2•
VDSS
VDSS – V DD
I AP
ID
V(BR)DSS
VDS
VDD
0
7
7페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
K2926 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2926 | Hitachi Semiconductor |
K2929 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2929 | Hitachi Semiconductor |
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