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부품번호 | TJ8S06M3L 기능 |
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기능 | MOSFET ( Transistor ) | ||
제조업체 | Toshiba Semiconductor | ||
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전체 9 페이지수
MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)
TJ8S06M3L
1. Applications
• Automotive
• Motor Drivers
• DC-DC Converters
• Switching Voltage Regulators
2. Features
(1) AEC-Q101 qualified
(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 80 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)
(3) Low leakage current: IDSS = -10 µA (max) (VDS = -60 V)
(4) Enhancement mode: Vth = -2.0 to -3.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)
3. Packaging and Internal Circuit
TJ8S06M3L
DPAK+
1: Gate
2: Drain (heatsink)
3: Source
Start of commercial production
2011-03
1 2014-08-04
Rev.6.0
7. Marking (Note)
TJ8S06M3L
Fig. 7.1 Marking
Note:
A line under a Lot No. identifies the indication of product Labels.
Not underlined: [[Pb]]/INCLUDES > MCV
Underlined: [[G]]/RoHS COMPATIBLE or [[G]]/RoHS [[Pb]]
Please contact your TOSHIBA sales representative for details as to environmental matters such as the RoHS
compatibility of Product.
The RoHS is the Directive 2011/65/EU of the European Parliament and of the Council of 8 June 2011 on the
restriction of the use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment.
4 2014-08-04
Rev.6.0
4페이지 TJ8S06M3L
Fig. 8.12 rth/Rth(ch-c) - tw
(Guaranteed Maximum)
Fig. 8.13 Safe Operating Area
(Guaranteed Maximum)
Fig. 8.14 EAS - Tch
(Guaranteed Maximum)
Fig. 8.15 Test Circuit/Waveform
Note: The above characteristics curves are presented for reference only and not guaranteed by production test,
unless otherwise noted.
7 2014-08-04
Rev.6.0
7페이지 | |||
구 성 | 총 9 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
TJ8S06M3L | MOSFET ( Transistor ) | Toshiba Semiconductor |
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